集成电路及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010468368.6

申请日：

2020-05-28

公开(公告)号：

CN112018069B

公开(公告)日：

2020-12-01

发明(设计)人：

陈奕寰周建志亚历山大·卡尔尼斯基郑光茗

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L23522

IPC分类号：

H01L21768 H01L2706 H01L21822

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-06	授权	授权
2020-12-01	公开	公开
2020-12-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/522 申请日:20200528

共 50 条

[1]

集成电路结构及其形成方法 [P].

陈能国 ;

蔡正原 ;

曾国华 .

中国专利 :CN101840888A ,2010-09-22

[2]

集成电路及其形成方法 [P].

庄学理 ;

刘铭棋 ;

刘世昌 .

中国专利 :CN111435662A ,2020-07-21

[3]

集成电路结构及其形成方法 [P].

林孟汉 ;

张盟昇 .

中国专利 :CN114843264A ,2022-08-02

[4]

集成电路及其形成方法 [P].

庄学理 ;

吴伟成 ;

邓立峯 ;

刘礼荣 .

中国专利 :CN113394274A ,2021-09-14

[5]

集成电路及其形成方法 [P].

庄学理 ;

吴伟成 ;

邓立峯 ;

刘礼荣 .

中国专利 :CN113394274B ,2024-07-12

[6]

射频集成电路芯片及其形成方法 [P].

朱岩岩 ;

葛洪涛 .

中国专利 :CN104795349B ,2015-07-22

[7]

射频集成电路芯片及其形成方法 [P].

朱岩岩 ;

侯飞凡 .

中国专利 :CN104795350B ,2015-07-22

[8]

集成电路结构及其形成方法 [P].

杨岱宜 ;

廖御杰 ;

吴佳典 ;

陈欣苹 ;

陈海清 ;

眭晓林 .

中国专利 :CN110957268A ,2020-04-03

[9]

用于集成电路的衬底及其形成方法 [P].

钟汇才 ;

梁擎擎 ;

尹海洲 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN102479742A ,2012-05-30

[10]

集成电路及其形成方法 [P].

徐丞伯 ;

黄仲仁 ;

吴云骥 .

中国专利 :CN113345902B ,2024-12-24

← 1 2 3 4 5 →