一种碳纳米管阵列场发射阴极的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710168360.2

申请日：

2007-11-16

公开(公告)号：

CN101183631A

公开(公告)日：

2008-05-21

发明(设计)人：

方国家李春刘逆霜杨晓霞袁龙炎

申请人：

申请人地址：

430072湖北省武汉市武昌珞珈山

IPC主分类号：

H01J902

IPC分类号：

代理机构：

武汉天力专利事务所

代理人：

程祥;冯卫平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-01-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101381917765 IPC(主分类):H01J 9/02 专利号:ZL2007101683602 申请日:20071116 授权公告日:20110629 终止日期:20111116
2008-05-21	公开	公开
2011-06-29	授权	授权

共 50 条

[1]

场发射阴极碳纳米管发射阵列的制备方法 [P].

方国家 ;

刘逆霜 ;

杨晓霞 ;

李春 ;

李军 .

中国专利 :CN101236872A ,2008-08-06

[2]

碳纳米管场发射阴极及其制备方法 [P].

洪序达 ;

贺思如 ;

梁栋 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN113990721A ,2022-01-28

[3]

碳纳米管发射阴极制备方法及碳纳米管发射阴极 [P].

洪序达 ;

陈垚 ;

郑海荣 ;

桂建保 .

中国专利 :CN104241062A ,2014-12-24

[4]

一种碳纳米管场发射阴极及其制备方法 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN117393403A ,2024-01-12

[5]

碳纳米管场发射阴极及其制备方法 [P].

洪序达 ;

陈婷 ;

陈垚 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN103456581B ,2013-12-18

[6]

一种碳纳米管场发射阴极的制备方法 [P].

柳鹏 ;

魏洋 ;

盛雷梅 ;

刘亮 ;

范守善 ;

胡昭复 .

中国专利 :CN1691246A ,2005-11-02

[7]

一种碳纳米管场发射阴极的制备方法 [P].

李得天 ;

成永军 ;

冯焱 ;

蔡敏 .

中国专利 :CN102386042A ,2012-03-21

[8]

一种碳纳米颗粒包覆的碳纳米管阵列场发射阴极的制备方法 [P].

邓建华 ;

程国安 ;

邓丽娜 .

中国专利 :CN104882346A ,2015-09-02

[9]

一种碳纳米管场发射阴极及其制备方法 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

张其阳 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN117393402A ,2024-01-12

[10]

碳纳米管复合薄膜场发射阴极的制备方法 [P].

陈婷 ;

洪序达 ;

陈垚 ;

孙竹 ;

桂建保 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN103871802A ,2014-06-18

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