一种碳纳米管场发射阴极及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311542037.2

申请日：

2023-11-17

公开(公告)号：

CN117393403A

公开(公告)日：

2024-01-12

发明(设计)人：

洪序达梁栋郑海荣

申请人：

深圳先进技术研究院

申请人地址：

518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号

IPC主分类号：

H01J1/304

IPC分类号：

H01J9/02 B82Y40/00 B82Y30/00

代理机构：

深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316

代理人：

张俊锋

法律状态：

公开

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-12	公开	公开
2024-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01J 1/304申请日:20231117

共 50 条

[1]

碳纳米管场发射阴极及其制备方法 [P].

洪序达 ;

贺思如 ;

梁栋 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN113990721A ,2022-01-28

[2]

碳纳米管场发射阴极及其制备方法 [P].

洪序达 ;

陈婷 ;

陈垚 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN103456581B ,2013-12-18

[3]

场发射阴极碳纳米管发射阵列的制备方法 [P].

方国家 ;

刘逆霜 ;

杨晓霞 ;

李春 ;

李军 .

中国专利 :CN101236872A ,2008-08-06

[4]

一种碳纳米管场发射阴极及其制备方法 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

张其阳 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN117393402A ,2024-01-12

[5]

碳纳米管场发射阴极及其制造方法 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN119943627A ,2025-05-06

[6]

一种碳纳米管阵列场发射阴极的制备方法 [P].

方国家 ;

李春 ;

刘逆霜 ;

杨晓霞 ;

袁龙炎 .

中国专利 :CN101183631A ,2008-05-21

[7]

碳纳米管发射阴极制备方法及碳纳米管发射阴极 [P].

洪序达 ;

陈垚 ;

郑海荣 ;

桂建保 .

中国专利 :CN104241062A ,2014-12-24

[8]

一种碳纳米管场发射阴极的制备方法 [P].

柳鹏 ;

魏洋 ;

盛雷梅 ;

刘亮 ;

范守善 ;

胡昭复 .

中国专利 :CN1691246A ,2005-11-02

[9]

一种碳纳米管场发射阴极的制备方法 [P].

李得天 ;

成永军 ;

冯焱 ;

蔡敏 .

中国专利 :CN102386042A ,2012-03-21

[10]

碳纳米管复合薄膜场发射阴极的制备方法 [P].

陈婷 ;

洪序达 ;

陈垚 ;

孙竹 ;

桂建保 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN103871802A ,2014-06-18

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