用于在EEPROM存储器中写入的方法及对应的集成电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010335378.2

申请日：

2020-04-24

公开(公告)号：

CN111863078A

公开(公告)日：

2020-10-30

发明(设计)人：

F·塔耶 M·巴蒂斯塔

申请人：

申请人地址：

法国鲁塞

IPC主分类号：

G11C1608

IPC分类号：

G11C1614 G11C1630

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

董莘

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 16/08 申请日:20200424
2020-10-30	公开	公开

共 50 条

[1]

用于在EEPROM存储器中写入的方法及对应的集成电路 [P].

F·塔耶 ;

M·巴蒂斯塔 .

法国专利 :CN111863078B ,2025-04-04

[2]

用于在易失性存储器中写入的方法和对应的集成电路 [P].

C·伊瓦 ;

J-M·格里尔-马弗瑞 .

中国专利 :CN112825028A ,2021-05-21

[3]

用于存储器中卷积计算的方法和对应的集成电路 [P].

A·康特 ;

F·拉罗萨 .

中国专利 :CN114067884A ,2022-02-18

[4]

非易失性存储器集成电路 [P].

F·塔耶 ;

M·巴蒂斯塔 .

中国专利 :CN212392003U ,2021-01-22

[5]

包括EEPROM型非易失性存储器的集成电路以及对应制造方法 [P].

F·塔耶 ;

R·西莫拉 ;

P·波伊文 .

中国专利 :CN115332260A ,2022-11-11

[6]

写入非易失性存储器的方法和相应的集成电路 [P].

F·拉罗萨 ;

E·卡斯塔尔多 ;

F·格兰德 ;

S·N·A·帕加诺 ;

G·纳斯塔西 ;

F·伊塔里亚诺 .

中国专利 :CN113539338A ,2021-10-22

[7]

写入非易失性存储器的方法和相应的集成电路 [P].

F·拉罗萨 ;

E·卡斯塔尔多 ;

F·格兰德 ;

S·N·A·帕加诺 ;

G·纳斯塔西 ;

F·伊塔里亚诺 .

:CN113539338B ,2025-05-09

[8]

用于保护在存储器中存储的数据的方法与对应的集成电路 [P].

P·弗纳拉 ;

F·马里内特 .

中国专利 :CN112307524A ,2021-02-02

[9]

用于保护在存储器中存储的数据的方法与对应的集成电路 [P].

P·弗纳拉 ;

F·马里内特 .

法国专利 :CN112307524B ,2025-09-16

[10]

制造集成电路存储器的方法及制造的集成电路存储器 [P].

金弘基 ;

李德炯 ;

催昌植 .

中国专利 :CN1139980C ,1999-12-01

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