用于在易失性存储器中写入的方法和对应的集成电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011308495.6

申请日：

2020-11-20

公开(公告)号：

CN112825028A

公开(公告)日：

2021-05-21

发明(设计)人：

C·伊瓦 J-M·格里尔-马弗瑞

申请人：

申请人地址：

法国鲁塞

IPC主分类号：

G06F306

IPC分类号：

G06F1578

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

罗利娜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 3/06 申请日:20201120
2021-05-21	公开	公开

共 50 条

[1]

用于在EEPROM存储器中写入的方法及对应的集成电路 [P].

F·塔耶 ;

M·巴蒂斯塔 .

法国专利 :CN111863078B ,2025-04-04

[2]

用于在EEPROM存储器中写入的方法及对应的集成电路 [P].

F·塔耶 ;

M·巴蒂斯塔 .

中国专利 :CN111863078A ,2020-10-30

[3]

操作非易失性存储器的方法和非易失性存储集成电路 [P].

陈重光 .

中国专利 :CN100501874C ,2007-11-14

[4]

用于存储器中卷积计算的方法和对应的集成电路 [P].

A·康特 ;

F·拉罗萨 .

中国专利 :CN114067884A ,2022-02-18

[5]

容错非易失性集成电路存储器 [P].

威廉·H·拉德克 .

中国专利 :CN101868830B ,2010-10-20

[6]

写入非易失性存储器的方法和相应的集成电路 [P].

F·拉罗萨 ;

E·卡斯塔尔多 ;

F·格兰德 ;

S·N·A·帕加诺 ;

G·纳斯塔西 ;

F·伊塔里亚诺 .

中国专利 :CN113539338A ,2021-10-22

[7]

写入非易失性存储器的方法和相应的集成电路 [P].

F·拉罗萨 ;

E·卡斯塔尔多 ;

F·格兰德 ;

S·N·A·帕加诺 ;

G·纳斯塔西 ;

F·伊塔里亚诺 .

:CN113539338B ,2025-05-09

[8]

用于保护在存储器中存储的数据的方法与对应的集成电路 [P].

P·弗纳拉 ;

F·马里内特 .

中国专利 :CN112307524A ,2021-02-02

[9]

用于保护在存储器中存储的数据的方法与对应的集成电路 [P].

P·弗纳拉 ;

F·马里内特 .

法国专利 :CN112307524B ,2025-09-16

[10]

非易失存储器阵列和集成电路 [P].

C·H·兰 ;

G·I·梅杰 ;

J·G·伯德诺兹 .

中国专利 :CN100552821C ,2007-11-21

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