半导体基板、半导体装置、及半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010577927.7

申请日：

2020-06-23

公开(公告)号：

CN113838904A

公开(公告)日：

2021-12-24

发明(设计)人：

陈志谚

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学园区

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2910 H01L29778 H01L21336

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

王天尧;汤在彦

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-24	公开	公开
2022-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20200623

共 50 条

[1]

半导体基板的制造方法、半导体基板及半导体装置 [P].

大槻刚 ;

松原寿树 ;

铃木温 ;

阿部达夫 ;

佐藤三千登 .

日本专利 :CN120787371A ,2025-10-14

[2]

半导体基板的制造方法、半导体基板及半导体装置 [P].

大槻刚 ;

松原寿树 ;

铃木温 ;

阿部达夫 ;

佐藤三千登 .

日本专利 :CN120917541A ,2025-11-07

[3]

半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体装置 [P].

杉山正和 ;

霜垣幸浩 ;

秦雅彦 ;

市川磨 .

中国专利 :CN101978503A ,2011-02-16

[4]

半导体装置的形成方法及半导体装置 [P].

吕文雄 ;

黄晖闵 ;

郑明达 ;

林威宏 ;

颜晨恩 ;

刘旭伦 .

中国专利 :CN113135549A ,2021-07-20

[5]

半导体装置的形成方法及半导体装置 [P].

吕文雄 ;

黄晖闵 ;

郑明达 ;

林威宏 ;

颜晨恩 ;

刘旭伦 .

中国专利 :CN113135549B ,2025-01-07

[6]

半导体基板、半导体封装结构及形成半导体器件的方法 [P].

黄文宏 .

中国专利 :CN112164686A ,2021-01-01

[7]

半导体装置及半导体结构的形成方法 [P].

陈荣坤 ;

余勤旭 ;

刘念 ;

向鹏程 ;

苏恒 .

中国专利 :CN121152122A ,2025-12-16

[8]

半导体结构及半导体装置的形成方法 [P].

王姿予 ;

谢棋君 ;

苏安治 ;

陈宪伟 ;

郑心圃 ;

林立伟 .

中国专利 :CN102208384A ,2011-10-05

[9]

半导体装置、半导体结构的形成方法 [P].

邓武锋 .

中国专利 :CN104900512A ,2015-09-09

[10]

半导体基板及半导体装置 [P].

龙强 .

中国专利 :CN115843176B ,2025-06-06

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