一种WSe2/MoS2复合热电材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111084485.3

申请日：

2021-09-16

公开(公告)号：

CN113782665A

公开(公告)日：

2021-12-10

发明(设计)人：

冀璞光郭志易殷福星王志伟刘影韩双斌康少明冯建航闫钰夫王宇

申请人：

申请人地址：

300130 天津市红桥区丁字沽光荣道8号河北工业大学东院330#

IPC主分类号：

H01L3534

IPC分类号：

H01L3516 B82Y3000 C23C1630 C23C1644

代理机构：

天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210

代理人：

赵凤英

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-10	公开	公开
2021-12-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 35/34 申请日:20210916

共 50 条

[1]

一种WSe2/WS2垂直异质结纳米材料及其制备方法 [P].

李东 ;

游文霞 ;

郑弼元 ;

潘安练 .

中国专利 :CN114351112B ,2022-04-15

[2]

一种TiS2复合纳米MoS2热电材料的制备方法 [P].

王一峰 ;

叶阳 ;

沈亚伟 ;

潘林 ;

张尖 .

中国专利 :CN105226180A ,2016-01-06

[3]

GaSe/MoS2异质结的制备方法 [P].

何鹏 ;

张墅野 ;

胡平安 ;

林铁松 ;

张彦鑫 .

中国专利 :CN112216751A ,2021-01-12

[4]

MoS2纳米针/碳纳米管复合负极材料的制备方法 [P].

赵海雷 ;

张子佳 ;

杜雪飞 ;

李兆麟 ;

赵丽娜 ;

滕勇强 .

中国专利 :CN106450185B ,2017-02-22

[5]

一种WSe2/TiO2复合纳米薄膜材料及其制备方法 [P].

王秀通 ;

韦秦怡 ;

李红 ;

李鑫冉 ;

侯保荣 .

中国专利 :CN106222725B ,2016-12-14

[6]

基于SnS2/MoS2的PEC型光电探测器及SnS2/MoS2异质结的制备方法 [P].

周译玄 ;

刘玉琪 ;

卢春辉 ;

徐新龙 ;

黄媛媛 .

中国专利 :CN114812805A ,2022-07-29

[7]

一种一维MoS2纳米管材料及其制备方法 [P].

王学文 ;

骆磊 ;

纪洪嘉 ;

许曼章 ;

黄维 .

中国专利 :CN115404460A ,2022-11-29

[8]

一种MoS2/MoO3/TiO2复合光催化材料及其制备方法与应用 [P].

季小红 ;

李振宇 .

中国专利 :CN111905768A ,2020-11-10

[9]

一种MoS2/导电聚合物复合热电薄膜的制备方法 [P].

杜永 ;

徐文龙 .

中国专利 :CN112038474A ,2020-12-04

[10]

一种层状MoS2‑TiO2纳米复合材料的制备方法 [P].

曹维成 ;

王快社 ;

胡平 ;

刘东新 ;

杨帆 ;

安耿 ;

卜春阳 ;

厉学武 ;

唐丽霞 ;

何凯 ;

刘仁智 .

中国专利 :CN105817237B ,2016-08-03

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