GaSe/MoS2异质结的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910624743.9

申请日：

2019-07-11

公开(公告)号：

CN112216751A

公开(公告)日：

2021-01-12

发明(设计)人：

何鹏张墅野胡平安林铁松张彦鑫

申请人：

申请人地址：

150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

IPC主分类号：

H01L310336

IPC分类号：

H01L31072 H01L31109 H01L3118 C23C1630

代理机构：

哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211

代理人：

张金珠

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-12	公开	公开
2021-01-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0336 申请日:20190711

共 50 条

[1]

基于SnS2/MoS2的PEC型光电探测器及SnS2/MoS2异质结的制备方法 [P].

周译玄 ;

刘玉琪 ;

卢春辉 ;

徐新龙 ;

黄媛媛 .

中国专利 :CN114812805A ,2022-07-29

[2]

基于SnS<sub>2</sub>/MoS<sub>2</sub>的PEC型光电探测器及SnS<sub>2</sub>/MoS<sub>2</sub>异质结的制备方法 [P].

周译玄 ;

刘玉琪 ;

卢春辉 ;

徐新龙 ;

黄媛媛 .

中国专利 :CN114812805B ,2025-12-19

[3]

一种单层MoS2-WS2横向异质结的制备方法 [P].

张永哲 ;

李毓佛 ;

陈永锋 ;

王佳蕊 ;

安博星 ;

马洋 ;

严辉 .

中国专利 :CN110808281A ,2020-02-18

[4]

基于MoS2/Ga2O3异质结的光电探测器、制备方法及应用 [P].

苏杰 ;

田珂 ;

张鹏亮 ;

林珍华 ;

常晶晶 .

中国专利 :CN111081808A ,2020-04-28

[5]

一种WSe2/MoS2复合热电材料的制备方法 [P].

冀璞光 ;

郭志易 ;

殷福星 ;

王志伟 ;

刘影 ;

韩双斌 ;

康少明 ;

冯建航 ;

闫钰夫 ;

王宇 .

中国专利 :CN113782665A ,2021-12-10

[6]

一种MoS2/SnSe2/H-TiO2异质结光电探测器的制备方法 [P].

吕慧丹 ;

王子良 ;

刘勇平 ;

班如静 ;

王璇 .

中国专利 :CN113097321A ,2021-07-09

[7]

MoS2/Ta2NiSe5异质结光电探测器及其制备方法 [P].

张胜利 ;

郭婷婷 ;

魏鹏飞 ;

屈恒泽 ;

剪宇轩 ;

张静雯 ;

宋秀峰 .

中国专利 :CN115050846A ,2022-09-13

[8]

高光响应TiO2/MoS2异质结可见光探测器及制备 [P].

孙颖慧 ;

刘丙绪 ;

王荣明 .

中国专利 :CN111725348A ,2020-09-29

[9]

一种WS2/MoS2二维共格异质结网络材料及其制备方法 [P].

罗正汤 ;

刘宏伟 .

中国专利 :CN114709137A ,2022-07-05

[10]

一种大面积MoS2薄膜生长方法 [P].

冯双龙 ;

聂长斌 ;

魏兴战 ;

陆文强 ;

史浩飞 ;

杜春雷 .

中国专利 :CN105506578A ,2016-04-20

← 1 2 3 4 5 →