一种大面积MoS2薄膜生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510991088.2

申请日：

2015-12-24

公开(公告)号：

CN105506578A

公开(公告)日：

2016-04-20

发明(设计)人：

冯双龙聂长斌魏兴战陆文强史浩飞杜春雷

申请人：

申请人地址：

400714 重庆市北碚区方正大道266号

IPC主分类号：

C23C1630

IPC分类号：

代理机构：

北京同恒源知识产权代理有限公司 11275

代理人：

王贵君

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101660908185 IPC(主分类):C23C 16/30 专利申请号:2015109910882 申请日:20151224
2016-04-20	公开	公开
2018-06-29	授权	授权

共 50 条

[1]

一种大面积纳米管薄膜及其制备方法 [P].

李玉宝 ;

张威 .

中国专利 :CN114214604A ,2022-03-22

[2]

大面积制备二氧化硅或者硅纳米线的控制生长方法 [P].

王晓欣 ;

王启明 .

中国专利 :CN100375235C ,2006-07-26

[3]

一种大面积均匀单层石墨烯薄膜的制备方法 [P].

武斌 ;

姚文乾 ;

张家宁 ;

刘云圻 .

中国专利 :CN114684813A ,2022-07-01

[4]

一种大面积二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

廖霞霞 ;

周子皓 ;

杨子凡 ;

周杨波 .

中国专利 :CN112853290B ,2021-05-28

[5]

一种大面积硒掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法 [P].

封伟 ;

岳玉琛 ;

冯奕钰 .

中国专利 :CN105624643A ,2016-06-01

[6]

一种大面积竖直外延生长的BiOI纳米片及垂直光电探测器和制备方法、应用 [P].

蒋杰 ;

涂铌 ;

朱丽萍 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN120119324A ,2025-06-10

[7]

一种大面积二维的二硫化铼薄膜及其制备方法和应用 [P].

郭宗亮 ;

魏爱香 ;

余代者 ;

招瑜 ;

肖志明 ;

刘俊 .

中国专利 :CN109023295A ,2018-12-18

[8]

一种在单晶ZnO衬底上外延生长大面积单晶ZnS薄膜的方法 [P].

孟祥敏 ;

王磊 ;

黄兴 ;

夏静 ;

黄奔 .

中国专利 :CN104178815A ,2014-12-03

[9]

一种适于各种衬底形状的钙钛矿薄膜大面积制备方法 [P].

罗派峰 ;

刘兆范 ;

夏伟 ;

周圣稳 .

中国专利 :CN105655447B ,2016-06-08

[10]

大面积ABX3型钙钛矿晶体薄膜生长方法及装置 [P].

匡代彬 ;

饶华商 ;

李文广 ;

陈白雪 ;

苏成勇 .

中国专利 :CN105951168A ,2016-09-21

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