一种大面积纳米管薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111470364.2

申请日：

2021-12-03

公开(公告)号：

CN114214604A

公开(公告)日：

2022-03-22

发明(设计)人：

李玉宝张威

申请人：

申请人地址：

071002 河北省保定市五四东路180号

IPC主分类号：

C23C1630

IPC分类号：

C23C1644 C25B104 C25B11075

代理机构：

石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112

代理人：

张莉静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-22	公开	公开
2022-04-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/30 申请日:20211203

共 50 条

[1]

大面积氧化钛纳米管薄膜、其制备方法及应用 [P].

李清文 ;

刘向阳 ;

邸江涛 ;

卞卫国 .

中国专利 :CN101972641A ,2011-02-16

[2]

一种大面积MoS2薄膜生长方法 [P].

冯双龙 ;

聂长斌 ;

魏兴战 ;

陆文强 ;

史浩飞 ;

杜春雷 .

中国专利 :CN105506578A ,2016-04-20

[3]

利用折纸法制备大面积碳纳米管阵列的方法 [P].

戴振东 ;

徐迟 ;

李阳 ;

石乐欣 .

中国专利 :CN116605870B ,2025-09-12

[4]

一种大面积均匀单层石墨烯薄膜的制备方法 [P].

武斌 ;

姚文乾 ;

张家宁 ;

刘云圻 .

中国专利 :CN114684813A ,2022-07-01

[5]

一种大面积二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

廖霞霞 ;

周子皓 ;

杨子凡 ;

周杨波 .

中国专利 :CN112853290B ,2021-05-28

[6]

一种大面积二维的二硫化铼薄膜及其制备方法和应用 [P].

郭宗亮 ;

魏爱香 ;

余代者 ;

招瑜 ;

肖志明 ;

刘俊 .

中国专利 :CN109023295A ,2018-12-18

[7]

一种碳纳米管的制备方法 [P].

苏利群 .

中国专利 :CN108640103A ,2018-10-12

[8]

大面积高质量ε相氧化镓薄膜及其制备方法和应用 [P].

王振兴 ;

林映彤 ;

王峰 ;

詹雪莹 ;

江潮 .

中国专利 :CN118450792A ,2024-08-06

[9]

一种快速制备大面积二维过渡金属硫族化物材料的方法 [P].

任文才 ;

程荣 ;

徐川 ;

成会明 .

中国专利 :CN118127482A ,2024-06-04

[10]

一种大面积褶皱二硒化钨纳米结构的制备方法 [P].

郝国林 ;

郝世杰 ;

高枫林 ;

郝玉龙 ;

周欢 ;

王凯祎 .

中国专利 :CN117904599A ,2024-04-19

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