一种大面积硒掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610011797.4

申请日：

2016-01-06

公开(公告)号：

CN105624643A

公开(公告)日：

2016-06-01

发明(设计)人：

封伟岳玉琛冯奕钰

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号天津大学

IPC主分类号：

C23C1630

IPC分类号：

C23C1602 C23C1644

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人：

王丽

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-16	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23C 16/30 变更事项:专利权人变更前:天津大学变更后:天津大学变更事项:地址变更前:300072 天津市南开区卫津路92号天津大学变更后:300350 天津市津南区海河教育园雅观路135号天津大学北洋园校区
2018-04-03	授权	授权
2016-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101667892309 IPC(主分类):C23C 16/30 专利申请号:2016100117974 申请日:20160106
2016-06-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种大面积二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

廖霞霞 ;

周子皓 ;

杨子凡 ;

周杨波 .

中国专利 :CN112853290B ,2021-05-28

[2]

一种大面积二硫化钼薄膜材料的制备方法 [P].

冯奕钰 ;

陈传蒙 ;

封伟 .

中国专利 :CN105271800A ,2016-01-27

[3]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

刘新科 ;

何佳铸 ;

吕有明 ;

韩舜 ;

曹培江 ;

柳文军 ;

曾玉祥 ;

贾芳 ;

朱德亮 .

中国专利 :CN104947070A ,2015-09-30

[4]

一种基于化学气相沉积法的大面积二硫化钼薄膜制备方法 [P].

陆桥宏 ;

曹俊 .

中国专利 :CN114231944A ,2022-03-25

[5]

一种大面积二硫化钼薄膜及其制备方法 [P].

陈雪霞 ;

冯朝帅 ;

魏淑畅 ;

崔鹤展 ;

韩海圆 ;

张寒露 .

中国专利 :CN120905644A ,2025-11-07

[6]

一种二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

赵士超 ;

翁嘉鑫 ;

吕燕飞 ;

金圣忠 .

中国专利 :CN108588673A ,2018-09-28

[7]

一种大面积二硫化钼薄膜的原子层沉积制备方法 [P].

杨培志 ;

赵恒利 ;

杨雯 ;

杨启鸣 ;

张志恒 .

中国专利 :CN107937884B ,2018-04-20

[8]

一种使用辅助衬底大面积清洁制备单层二硫化钼薄膜的方法 [P].

张秀梅 ;

肖少庆 ;

顾晓峰 ;

张学成 .

中国专利 :CN106917072A ,2017-07-04

[9]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

高庆国 ;

陈思敏 ;

陈滤成 ;

许哲铨 ;

张崇富 ;

潘新建 ;

于淼 ;

陈又鲜 .

中国专利 :CN115058700A ,2022-09-16

[10]

氨水辅助制备大面积单层二硫化钼的方法 [P].

刘明岩 ;

万逸 ;

阚二军 ;

赵益彬 ;

姚佳敏 ;

杨昀纬 .

中国专利 :CN112593205B ,2021-04-02

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