一种大面积硒掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610011797.4

申请日：

2016-01-06

公开(公告)号：

CN105624643A

公开(公告)日：

2016-06-01

发明(设计)人：

封伟岳玉琛冯奕钰

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号天津大学

IPC主分类号：

C23C1630

IPC分类号：

C23C1602 C23C1644

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人：

王丽

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-16	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23C 16/30 变更事项:专利权人变更前:天津大学变更后:天津大学变更事项:地址变更前:300072 天津市南开区卫津路92号天津大学变更后:300350 天津市津南区海河教育园雅观路135号天津大学北洋园校区
2018-04-03	授权	授权
2016-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101667892309 IPC(主分类):C23C 16/30 专利申请号:2016100117974 申请日:20160106
2016-06-01	公开	公开

共 50 条

[41]

一种金属元素掺杂二硫化钼薄膜材料及其制备方法 [P].

曹辉亮 ;

唐楷为 ;

刘宣勇 .

中国专利 :CN109467126A ,2019-03-15

[42]

一种基于快速降温化学气相沉积法制备大面积二维硒化铟薄膜晶体材料的方法及其制备的产品和应用 [P].

韩伟 ;

关爽 ;

危家昀 ;

江加兴 ;

祝习墨 ;

王浩 .

中国专利 :CN118600534A ,2024-09-06

[43]

一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法 [P].

曾祥斌 ;

吴少雄 ;

王文照 ;

曾洋 ;

丁佳 ;

胡一说 ;

周广通 ;

徐素娥 .

中国专利 :CN107403847B ,2017-11-28

[44]

一种制备厘米级多相二硫化钼薄膜的方法 [P].

周宇 ;

李猛 ;

李萍剑 .

中国专利 :CN114737164A ,2022-07-12

[45]

一种大面积硫化钯或/和二硫化钯纳米薄膜的制备方法 [P].

郝国林 ;

高慧 ;

郝玉龙 ;

肖金彪 ;

贺力员 .

中国专利 :CN115874151B ,2025-09-23

[46]

一种制备二硫化钼薄膜的方法 [P].

陈远富 ;

戚飞 ;

刘兴钊 ;

李萍剑 ;

郑斌杰 ;

张万里 .

中国专利 :CN104498878B ,2015-04-08

[47]

二硫化钼/二硒化钨垂直异质结的制备方法 [P].

李梓维 ;

李方 ;

杨文 ;

梁德琅 ;

潘安练 .

中国专利 :CN110416065A ,2019-11-05

[48]

一种二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

成桢 ;

王红英 ;

李姝丽 ;

张变莲 .

中国专利 :CN114150266A ,2022-03-08

[49]

一种晶粒取向高度一致的二硫化钼薄膜及其制备方法 [P].

闫巍 ;

康璐璐 ;

孟岚 ;

李兴鳌 .

中国专利 :CN113957412A ,2022-01-21

[50]

单层二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

吴华强 ;

袁硕果 ;

李寒 ;

钱鹤 .

中国专利 :CN103757602A ,2014-04-30

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