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一种晶粒取向高度一致的二硫化钼薄膜及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111106386.0
申请日：
2021-09-22
公开(公告)号：
CN113957412A
公开(公告)日：
2022-01-21
发明(设计)人：
闫巍 康璐璐 孟岚 李兴鳌
申请人：
申请人地址：
210023 江苏省南京市栖霞区文苑路9号
IPC主分类号：
C23C1630
IPC分类号：
C23C16455 C23C1652
代理机构：
南京纵横知识产权代理有限公司 32224
代理人：
刘艳艳
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-01-21 公开 公开
2022-02-15 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/30 申请日:20210922
共 50 条
[1]
一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P]. 
刘新科 ;
何佳铸 ;
吕有明 ;
韩舜 ;
曹培江 ;
柳文军 ;
曾玉祥 ;
贾芳 ;
朱德亮 .
中国专利 :CN104947070A ,2015-09-30
[2]
一种二硫化钼薄膜的制备方法 [P]. 
赵士超 ;
翁嘉鑫 ;
吕燕飞 ;
金圣忠 .
中国专利 :CN108588673A ,2018-09-28
[3]
一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P]. 
高庆国 ;
陈思敏 ;
陈滤成 ;
许哲铨 ;
张崇富 ;
潘新建 ;
于淼 ;
陈又鲜 .
中国专利 :CN115058700A ,2022-09-16
[4]
一种制备晶圆级单层二硫化钼薄膜的方法 [P]. 
王志永 ;
王东升 ;
周中浩 ;
郑孔嘉 .
中国专利 :CN113122818A ,2021-07-16
[5]
一种大面积二硫化钼薄膜的制备方法 [P]. 
廖霞霞 ;
周子皓 ;
杨子凡 ;
周杨波 .
中国专利 :CN112853290B ,2021-05-28
[6]
一种分段氧辅助制备二硫化钼薄膜的方法 [P]. 
李萍剑 ;
宋鑫 ;
李雪松 .
中国专利 :CN119710618A ,2025-03-28
[7]
一种二硫化钼微纳米带的可控制备方法 [P]. 
曹水艳 ;
孙文慧 ;
刘衍朋 .
中国专利 :CN119929881A ,2025-05-06
[8]
一种单层二硫化钼薄膜大尺寸生长制备方法 [P]. 
李梓维 ;
刘笑 .
中国专利 :CN117568777B ,2025-11-25
[9]
一种二硫化钼薄膜及其制备方法 [P]. 
刘新科 ;
何佳铸 ;
李奎龙 ;
陈乐 ;
何祝兵 ;
俞文杰 ;
吕有明 ;
韩舜 ;
曹培江 ;
柳文军 ;
曾玉祥 ;
贾芳 ;
朱德亮 ;
洪家伟 .
中国专利 :CN105970296A ,2016-09-28
[10]
一种单层二硫化钼薄膜大尺寸生长制备方法 [P]. 
李梓维 ;
刘笑 .
中国专利 :CN117568777A ,2024-02-20
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