一种大面积硫化钯或/和二硫化钯纳米薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211050004.1

申请日：

2022-08-30

公开(公告)号：

CN115874151B

公开(公告)日：

2025-09-23

发明(设计)人：

郝国林高慧郝玉龙肖金彪贺力员

申请人：

湘潭大学

申请人地址：

411105 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号

IPC主分类号：

C23C14/30

IPC分类号：

C23C14/18 C23C14/58 C01G55/00

代理机构：

湘潭市汇智专利事务所(普通合伙) 43108

代理人：

冷玉萍

法律状态：

授权

国省代码：

湖南省湘潭市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-23	授权	授权

共 50 条

[1]

一种大面积二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

廖霞霞 ;

周子皓 ;

杨子凡 ;

周杨波 .

中国专利 :CN112853290B ,2021-05-28

[2]

一种大面积二维的二硫化铼薄膜及其制备方法和应用 [P].

郭宗亮 ;

魏爱香 ;

余代者 ;

招瑜 ;

肖志明 ;

刘俊 .

中国专利 :CN109023295A ,2018-12-18

[3]

一种用于制备二维硫化钯纳米材料的装置和方法 [P].

陈泽诚 ;

罗东向 ;

刘霄 ;

张梦龙 ;

高伟 .

中国专利 :CN114702085A ,2022-07-05

[4]

一种大面积硒掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法 [P].

封伟 ;

岳玉琛 ;

冯奕钰 .

中国专利 :CN105624643A ,2016-06-01

[5]

钯纳米薄膜的制备方法和钯/铂纳米薄膜的制备方法 [P].

金永东 ;

吴昊曦 .

中国专利 :CN103184441B ,2013-07-03

[6]

制备大面积单层二硫化钨和二硫化钼结构的分步气相方法 [P].

魏威 ;

陈鑫 ;

张克难 ;

张天宁 ;

戴宁 .

中国专利 :CN105887015A ,2016-08-24

[7]

氨水辅助制备大面积单层二硫化钼的方法 [P].

刘明岩 ;

万逸 ;

阚二军 ;

赵益彬 ;

姚佳敏 ;

杨昀纬 .

中国专利 :CN112593205B ,2021-04-02

[8]

一种外延大单畴大面积单层二硫化钨薄膜的制备方法 [P].

兰长勇 ;

邹瑞森 ;

李春 .

中国专利 :CN113322522B ,2021-08-31

[9]

一种使用辅助衬底大面积清洁制备单层二硫化钼薄膜的方法 [P].

张秀梅 ;

肖少庆 ;

顾晓峰 ;

张学成 .

中国专利 :CN106917072A ,2017-07-04

[10]

一种基于化学气相沉积法的大面积二硫化钼薄膜制备方法 [P].

陆桥宏 ;

曹俊 .

中国专利 :CN114231944A ,2022-03-25

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