氨水辅助制备大面积单层二硫化钼的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011321984.5

申请日：

2020-11-23

公开(公告)号：

CN112593205B

公开(公告)日：

2021-04-02

发明(设计)人：

刘明岩万逸阚二军赵益彬姚佳敏杨昀纬

申请人：

申请人地址：

210094 江苏省南京市孝陵卫200号

IPC主分类号：

C23C1630

IPC分类号：

C23C1602 C23C16448 C30B2946 C30B2500

代理机构：

南京理工大学专利中心 32203

代理人：

刘海霞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/30 申请日:20201123
2023-01-13	授权	授权
2021-04-02	公开	公开

共 50 条

[1]

一种使用辅助衬底大面积清洁制备单层二硫化钼薄膜的方法 [P].

张秀梅 ;

肖少庆 ;

顾晓峰 ;

张学成 .

中国专利 :CN106917072A ,2017-07-04

[2]

制备大面积单层二硫化钨和二硫化钼结构的分步气相方法 [P].

魏威 ;

陈鑫 ;

张克难 ;

张天宁 ;

戴宁 .

中国专利 :CN105887015A ,2016-08-24

[3]

一种大面积二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

廖霞霞 ;

周子皓 ;

杨子凡 ;

周杨波 .

中国专利 :CN112853290B ,2021-05-28

[4]

一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

王金斌 ;

肖君林 ;

钟向丽 ;

田自然 ;

李波 .

中国专利 :CN105272358A ,2016-01-27

[5]

一种大面积二硫化钼薄膜及其制备方法 [P].

陈雪霞 ;

冯朝帅 ;

魏淑畅 ;

崔鹤展 ;

韩海圆 ;

张寒露 .

中国专利 :CN120905644A ,2025-11-07

[6]

单层二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

吴华强 ;

袁硕果 ;

李寒 ;

钱鹤 .

中国专利 :CN103757602A ,2014-04-30

[7]

一种大面积二硫化钼薄膜材料的制备方法 [P].

冯奕钰 ;

陈传蒙 ;

封伟 .

中国专利 :CN105271800A ,2016-01-27

[8]

一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的转移方法 [P].

王金斌 ;

张东国 ;

钟向丽 ;

岳少忠 .

中国专利 :CN109103072A ,2018-12-28

[9]

一种大面积二硫化钼薄膜的原子层沉积制备方法 [P].

杨培志 ;

赵恒利 ;

杨雯 ;

杨启鸣 ;

张志恒 .

中国专利 :CN107937884B ,2018-04-20

[10]

一种大面积硒掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法 [P].

封伟 ;

岳玉琛 ;

冯奕钰 .

中国专利 :CN105624643A ,2016-06-01

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