一种大面积二硫化钼薄膜材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510755536.9

申请日：

2015-11-06

公开(公告)号：

CN105271800A

公开(公告)日：

2016-01-27

发明(设计)人：

冯奕钰陈传蒙封伟

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号天津大学

IPC主分类号：

C03C1722

IPC分类号：

C04B4150 C04B4185 C23C1630

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人：

王丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101647680613 IPC(主分类):C03C 17/22 专利申请号:2015107555369 申请日:20151106
2018-03-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C03C 17/22 申请公布日:20160127
2016-01-27	公开	公开

共 50 条

[1]

一种大面积二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

廖霞霞 ;

周子皓 ;

杨子凡 ;

周杨波 .

中国专利 :CN112853290B ,2021-05-28

[2]

一种大面积硒掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法 [P].

封伟 ;

岳玉琛 ;

冯奕钰 .

中国专利 :CN105624643A ,2016-06-01

[3]

一种大面积二硫化钼薄膜及其制备方法 [P].

陈雪霞 ;

冯朝帅 ;

魏淑畅 ;

崔鹤展 ;

韩海圆 ;

张寒露 .

中国专利 :CN120905644A ,2025-11-07

[4]

一种大面积二硫化钼薄膜的原子层沉积制备方法 [P].

杨培志 ;

赵恒利 ;

杨雯 ;

杨启鸣 ;

张志恒 .

中国专利 :CN107937884B ,2018-04-20

[5]

氨水辅助制备大面积单层二硫化钼的方法 [P].

刘明岩 ;

万逸 ;

阚二军 ;

赵益彬 ;

姚佳敏 ;

杨昀纬 .

中国专利 :CN112593205B ,2021-04-02

[6]

一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

王金斌 ;

肖君林 ;

钟向丽 ;

田自然 ;

李波 .

中国专利 :CN105272358A ,2016-01-27

[7]

一种使用辅助衬底大面积清洁制备单层二硫化钼薄膜的方法 [P].

张秀梅 ;

肖少庆 ;

顾晓峰 ;

张学成 .

中国专利 :CN106917072A ,2017-07-04

[8]

一种二硫化钼薄膜材料的制备方法 [P].

陶占良 ;

王丽秀 ;

郭爽 ;

陈军 ;

李海霞 ;

程方益 ;

梁静 .

中国专利 :CN103205724A ,2013-07-17

[9]

一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的转移方法 [P].

王金斌 ;

张东国 ;

钟向丽 ;

岳少忠 .

中国专利 :CN109103072A ,2018-12-28

[10]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

高庆国 ;

陈思敏 ;

陈滤成 ;

许哲铨 ;

张崇富 ;

潘新建 ;

于淼 ;

陈又鲜 .

中国专利 :CN115058700A ,2022-09-16

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