一种使用辅助衬底大面积清洁制备单层二硫化钼薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710252363.8

申请日：

2017-04-18

公开(公告)号：

CN106917072A

公开(公告)日：

2017-07-04

发明(设计)人：

张秀梅肖少庆顾晓峰张学成

申请人：

申请人地址：

214122 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号

IPC主分类号：

C23C1630

IPC分类号：

C23C16448 C23C1604

代理机构：

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法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-04	公开	公开

共 50 条

[1]

氨水辅助制备大面积单层二硫化钼的方法 [P].

刘明岩 ;

万逸 ;

阚二军 ;

赵益彬 ;

姚佳敏 ;

杨昀纬 .

中国专利 :CN112593205B ,2021-04-02

[2]

一种大面积二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

廖霞霞 ;

周子皓 ;

杨子凡 ;

周杨波 .

中国专利 :CN112853290B ,2021-05-28

[3]

一种大面积硒掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法 [P].

封伟 ;

岳玉琛 ;

冯奕钰 .

中国专利 :CN105624643A ,2016-06-01

[4]

制备大面积单层二硫化钨和二硫化钼结构的分步气相方法 [P].

魏威 ;

陈鑫 ;

张克难 ;

张天宁 ;

戴宁 .

中国专利 :CN105887015A ,2016-08-24

[5]

一种大面积二硫化钼薄膜及其制备方法 [P].

陈雪霞 ;

冯朝帅 ;

魏淑畅 ;

崔鹤展 ;

韩海圆 ;

张寒露 .

中国专利 :CN120905644A ,2025-11-07

[6]

一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

王金斌 ;

肖君林 ;

钟向丽 ;

田自然 ;

李波 .

中国专利 :CN105272358A ,2016-01-27

[7]

一种大面积二硫化钼薄膜材料的制备方法 [P].

冯奕钰 ;

陈传蒙 ;

封伟 .

中国专利 :CN105271800A ,2016-01-27

[8]

基于衬底硫化预处理的单层二硫化钼的制备方法 [P].

丛春晓 ;

杨鹏 ;

仇志军 ;

刘冉 .

中国专利 :CN110451564B ,2019-11-15

[9]

单层二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

吴华强 ;

袁硕果 ;

李寒 ;

钱鹤 .

中国专利 :CN103757602A ,2014-04-30

[10]

一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的转移方法 [P].

王金斌 ;

张东国 ;

钟向丽 ;

岳少忠 .

中国专利 :CN109103072A ,2018-12-28

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