一种大面积硒掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610011797.4

申请日：

2016-01-06

公开(公告)号：

CN105624643A

公开(公告)日：

2016-06-01

发明(设计)人：

封伟岳玉琛冯奕钰

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号天津大学

IPC主分类号：

C23C1630

IPC分类号：

C23C1602 C23C1644

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人：

王丽

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-16	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23C 16/30 变更事项:专利权人变更前:天津大学变更后:天津大学变更事项:地址变更前:300072 天津市南开区卫津路92号天津大学变更后:300350 天津市津南区海河教育园雅观路135号天津大学北洋园校区
2018-04-03	授权	授权
2016-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101667892309 IPC(主分类):C23C 16/30 专利申请号:2016100117974 申请日:20160106
2016-06-01	公开	公开

共 50 条

[21]

一种大面积二维的二硫化铼薄膜及其制备方法和应用 [P].

郭宗亮 ;

魏爱香 ;

余代者 ;

招瑜 ;

肖志明 ;

刘俊 .

中国专利 :CN109023295A ,2018-12-18

[22]

一种二硫化钼纳米薄片的制备方法 [P].

江峰 ;

闫鹏飞 .

中国专利 :CN110240199A ,2019-09-17

[23]

一种基于大面积二硫化钼的光纤传感探头及其制备方法 [P].

姜守振 ;

高赛赛 ;

张超 ;

陈沛玺 ;

仇恒伟 ;

李喆 ;

路正义 .

中国专利 :CN106680243B ,2017-05-17

[24]

一种二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

陈荣盛 ;

钟伟 ;

邓孙斌 ;

李国元 ;

吴朝晖 ;

李斌 .

中国专利 :CN109763099A ,2019-05-17

[25]

一种二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

唐军利 .

中国专利 :CN113151782A ,2021-07-23

[26]

一种三氧化钼和二硫化钼复合材料的制备方法 [P].

杨蓉 ;

炼铮 ;

韩秋森 ;

王田 ;

王琛 .

中国专利 :CN105854901A ,2016-08-17

[27]

一种金属掺杂二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

武大鹏 ;

王付娟 ;

高志永 ;

路海 ;

常玖利 ;

徐芳 ;

蒋凯 .

中国专利 :CN106381481A ,2017-02-08

[28]

一种铒掺杂二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

蒲红斌 ;

杨勇 ;

张珊 ;

邸君杰 .

中国专利 :CN107313023B ,2017-11-03

[29]

一种单晶二硫化钼器件阵列的制备方法 [P].

李鹏 .

中国专利 :CN109234702A ,2019-01-18

[30]

一种利用促进剂生长单层二硫化钼或二硒化钼的方法 [P].

王珊珊 ;

李守恒 ;

徐淘 ;

江天 ;

程海峰 .

中国专利 :CN111893565B ,2020-11-06

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