一种金属掺杂二硫化钼薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610827571.1

申请日：

2016-09-18

公开(公告)号：

CN106381481A

公开(公告)日：

2017-02-08

发明(设计)人：

武大鹏王付娟高志永路海常玖利徐芳蒋凯

申请人：

申请人地址：

453007 河南省新乡市建设东路46号

IPC主分类号：

C23C1812

IPC分类号：

代理机构：

新乡市平原专利有限责任公司 41107

代理人：

路宽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-08	公开	公开
2017-03-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101706082458 IPC(主分类):C23C 18/12 专利申请号:2016108275711 申请日:20160918
2018-09-14	授权	授权

共 50 条

[1]

一种金属掺杂二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

曾祥斌 ;

任婷婷 ;

胡一说 ;

王文照 ;

吴少雄 ;

周广通 ;

曾洋 ;

郭振宇 ;

靳雯 ;

王士博 .

中国专利 :CN108899267B ,2018-11-27

[2]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

高庆国 ;

陈思敏 ;

陈滤成 ;

许哲铨 ;

张崇富 ;

潘新建 ;

于淼 ;

陈又鲜 .

中国专利 :CN115058700A ,2022-09-16

[3]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

刘新科 ;

何佳铸 ;

吕有明 ;

韩舜 ;

曹培江 ;

柳文军 ;

曾玉祥 ;

贾芳 ;

朱德亮 .

中国专利 :CN104947070A ,2015-09-30

[4]

一种铒掺杂二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

蒲红斌 ;

杨勇 ;

张珊 ;

邸君杰 .

中国专利 :CN107313023B ,2017-11-03

[5]

一种金属掺杂二硫化钼超滑薄膜及其制备方法 [P].

师晶 ;

王成兵 ;

杨金柱 ;

王维科 ;

王琬瑢 .

中国专利 :CN113088911A ,2021-07-09

[6]

一种二硫化钼半导体薄膜材料的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN106835044A ,2017-06-13

[7]

一种二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

陈荣盛 ;

钟伟 ;

邓孙斌 ;

李国元 ;

吴朝晖 ;

李斌 .

中国专利 :CN109763099A ,2019-05-17

[8]

一种制备二硫化钼薄膜的方法 [P].

陈远富 ;

戚飞 ;

刘兴钊 ;

李萍剑 ;

郑斌杰 ;

张万里 .

中国专利 :CN104498878B ,2015-04-08

[9]

一种二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

成桢 ;

王红英 ;

李姝丽 ;

张变莲 .

中国专利 :CN114150266A ,2022-03-08

[10]

一种二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

赵士超 ;

翁嘉鑫 ;

吕燕飞 ;

金圣忠 .

中国专利 :CN108588673A ,2018-09-28

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