一种金属掺杂二硫化钼薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810648685.9

申请日：

2018-06-22

公开(公告)号：

CN108899267B

公开(公告)日：

2018-11-27

发明(设计)人：

曾祥斌任婷婷胡一说王文照吴少雄周广通曾洋郭振宇靳雯王士博

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L310296

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

曹葆青;李智

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-24	授权	授权
2018-11-27	公开	公开
2018-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180622

共 50 条

[1]

一种金属掺杂二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

武大鹏 ;

王付娟 ;

高志永 ;

路海 ;

常玖利 ;

徐芳 ;

蒋凯 .

中国专利 :CN106381481A ,2017-02-08

[2]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

高庆国 ;

陈思敏 ;

陈滤成 ;

许哲铨 ;

张崇富 ;

潘新建 ;

于淼 ;

陈又鲜 .

中国专利 :CN115058700A ,2022-09-16

[3]

一种二硫化钼半导体薄膜材料的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN106835044A ,2017-06-13

[4]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

刘新科 ;

何佳铸 ;

吕有明 ;

韩舜 ;

曹培江 ;

柳文军 ;

曾玉祥 ;

贾芳 ;

朱德亮 .

中国专利 :CN104947070A ,2015-09-30

[5]

一种二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

陈荣盛 ;

钟伟 ;

邓孙斌 ;

李国元 ;

吴朝晖 ;

李斌 .

中国专利 :CN109763099A ,2019-05-17

[6]

一种二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

赵士超 ;

翁嘉鑫 ;

吕燕飞 ;

金圣忠 .

中国专利 :CN108588673A ,2018-09-28

[7]

一种二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

唐军利 .

中国专利 :CN113151782A ,2021-07-23

[8]

一种铒掺杂二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

蒲红斌 ;

杨勇 ;

张珊 ;

邸君杰 .

中国专利 :CN107313023B ,2017-11-03

[9]

一种金属掺杂二硫化钼超滑薄膜及其制备方法 [P].

师晶 ;

王成兵 ;

杨金柱 ;

王维科 ;

王琬瑢 .

中国专利 :CN113088911A ,2021-07-09

[10]

一种多层二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

林伟毅 ;

李波 ;

叶添 ;

庄萍萍 ;

闫晗 .

中国专利 :CN117361628A ,2024-01-09

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