一种单晶二硫化钼器件阵列的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811326754.0

申请日：

2018-11-08

公开(公告)号：

CN109234702A

公开(公告)日：

2019-01-18

发明(设计)人：

李鹏

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室

IPC主分类号：

C23C1630

IPC分类号：

C23C1602 C23C1656 C23C1416 C23C1435

代理机构：

西安智大知识产权代理事务所 61215

代理人：

段俊涛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/30 申请日:20181108
2019-01-18	公开	公开
2021-12-24	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C 16/30 申请公布日:20190118

共 50 条

[1]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

刘新科 ;

何佳铸 ;

吕有明 ;

韩舜 ;

曹培江 ;

柳文军 ;

曾玉祥 ;

贾芳 ;

朱德亮 .

中国专利 :CN104947070A ,2015-09-30

[2]

一种单层二硫化钼的制备方法 [P].

何大伟 ;

董艳芳 ;

何家琪 ;

赵思淇 ;

王永生 .

中国专利 :CN106835073A ,2017-06-13

[3]

一种二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

赵士超 ;

翁嘉鑫 ;

吕燕飞 ;

金圣忠 .

中国专利 :CN108588673A ,2018-09-28

[4]

一种二硫化钼纳米薄片的制备方法 [P].

江峰 ;

闫鹏飞 .

中国专利 :CN110240199A ,2019-09-17

[5]

一种大尺寸单晶二硫化钼的制备方法 [P].

何军 ;

史建平 ;

李辉 ;

杨俊波 ;

李晓辉 .

中国专利 :CN115354392A ,2022-11-18

[6]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

高庆国 ;

陈思敏 ;

陈滤成 ;

许哲铨 ;

张崇富 ;

潘新建 ;

于淼 ;

陈又鲜 .

中国专利 :CN115058700A ,2022-09-16

[7]

一种利用化学气相沉积法制备二硫化钼钨单晶的方法 [P].

程其进 ;

袁锦涛 ;

艾子康 .

中国专利 :CN115044980A ,2022-09-13

[8]

一种高质量单双层可控的二硫化钼制备方法 [P].

廖源 ;

周献亮 ;

周朝迅 ;

董振超 .

中国专利 :CN104058458B ,2014-09-24

[9]

一种大面积二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

廖霞霞 ;

周子皓 ;

杨子凡 ;

周杨波 .

中国专利 :CN112853290B ,2021-05-28

[10]

一种分段氧辅助制备二硫化钼薄膜的方法 [P].

李萍剑 ;

宋鑫 ;

李雪松 .

中国专利 :CN119710618A ,2025-03-28

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