一种单晶二硫化钼器件阵列的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201811326754.0
申请日
2018-11-08
公开(公告)号
CN109234702A
公开(公告)日
2019-01-18
发明(设计)人
李鹏
申请人
申请人地址
100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室
IPC主分类号
C23C1630
IPC分类号
C23C1602 C23C1656 C23C1416 C23C1435
代理机构
西安智大知识产权代理事务所 61215
代理人
段俊涛
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
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