一种二硫化钼纳米薄片的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810417992.6

申请日：

2018-05-04

公开(公告)号：

CN110240199A

公开(公告)日：

2019-09-17

发明(设计)人：

江峰闫鹏飞

申请人：

申请人地址：

215628 江苏省张家港市南丰镇南丰村（兴园路西侧）

IPC主分类号：

C01G3906

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

北京元周律知识产权代理有限公司 11540

代理人：

张莹

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-31	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01G 39/06 申请公布日:20190917
2019-09-17	公开	公开
2019-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 39/06 申请日:20180504

共 50 条

[1]

一种二硫化钼纳米薄片及其制备方法 [P].

江帅 ;

贺蒙 ;

殷雄 ;

李建业 .

中国专利 :CN104418387A ,2015-03-18

[2]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

刘新科 ;

何佳铸 ;

吕有明 ;

韩舜 ;

曹培江 ;

柳文军 ;

曾玉祥 ;

贾芳 ;

朱德亮 .

中国专利 :CN104947070A ,2015-09-30

[3]

一种单层二硫化钼的制备方法 [P].

何大伟 ;

董艳芳 ;

何家琪 ;

赵思淇 ;

王永生 .

中国专利 :CN106835073A ,2017-06-13

[4]

一种二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

赵士超 ;

翁嘉鑫 ;

吕燕飞 ;

金圣忠 .

中国专利 :CN108588673A ,2018-09-28

[5]

一种二硫化钼微纳米带的可控制备方法 [P].

曹水艳 ;

孙文慧 ;

刘衍朋 .

中国专利 :CN119929881A ,2025-05-06

[6]

一种二硫化钼‑石墨烯复合纳米片的制备 [P].

岳红彦 ;

宋姗姗 ;

高鑫 ;

王宝 ;

张宏杰 .

中国专利 :CN107902920A ,2018-04-13

[7]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

高庆国 ;

陈思敏 ;

陈滤成 ;

许哲铨 ;

张崇富 ;

潘新建 ;

于淼 ;

陈又鲜 .

中国专利 :CN115058700A ,2022-09-16

[8]

一种纳米二硫化钼的制备方法及其制备的二硫化钼 [P].

蒋晓青 ;

刘怀志 .

中国专利 :CN107500358A ,2017-12-22

[9]

一种单晶二硫化钼器件阵列的制备方法 [P].

李鹏 .

中国专利 :CN109234702A ,2019-01-18

[10]

基于动力学硫化的低维二硫化钼纳米片制备方法 [P].

马莹莹 ;

刁春鑫 ;

许冠辰 .

中国专利 :CN118877942A ,2024-11-01

← 1 2 3 4 5 →