基于动力学硫化的低维二硫化钼纳米片制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410898753.2

申请日：

2024-07-05

公开(公告)号：

CN118877942A

公开(公告)日：

2024-11-01

发明(设计)人：

马莹莹刁春鑫许冠辰

申请人：

山东省科学院新材料研究所

申请人地址：

250014 山东省济南市历下区科院路19号

IPC主分类号：

C01G39/06

IPC分类号：

B82Y40/00 G01N21/65

代理机构：

深圳市励知致远知识产权代理有限公司 44795

代理人：

单世斌

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

山东省

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):C01G 39/06申请公布日:20241101
2024-11-01	公开	公开
2024-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01G 39/06申请日:20240705

共 50 条

[1]

一种金字塔形二硫化钼纳米片及其制备方法和应用 [P].

张璋 ;

苏绍强 ;

周青伟 ;

胡先标 .

中国专利 :CN107961799A ,2018-04-27

[2]

一种高密度边界双层二硫化钼纳米片及其制备方法 [P].

张璋 ;

苏绍强 ;

周青伟 ;

程鹏飞 .

中国专利 :CN108017090B ,2018-05-11

[3]

一种二硫化钼纳米片的剥离制备方法及二硫化钼纳米片的应用 [P].

陈敬钦 ;

刘成波 ;

盛宗海 ;

宋亮 .

中国专利 :CN106563130A ,2017-04-19

[4]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

刘新科 ;

何佳铸 ;

吕有明 ;

韩舜 ;

曹培江 ;

柳文军 ;

曾玉祥 ;

贾芳 ;

朱德亮 .

中国专利 :CN104947070A ,2015-09-30

[5]

一种二硫化钼‑石墨烯复合纳米片的制备 [P].

岳红彦 ;

宋姗姗 ;

高鑫 ;

王宝 ;

张宏杰 .

中国专利 :CN107902920A ,2018-04-13

[6]

二硫化钼纳米片@硫化钴纳米颗粒阵列电极的制备方法 [P].

黄妞 ;

邵梅芳 ;

杨柳 .

中国专利 :CN113061928B ,2021-07-02

[7]

一种制备单层二硫化钼纳米片的方法 [P].

王牧 ;

李庆玄 ;

朱声涛 ;

张磊 ;

彭茹雯 .

中国专利 :CN115557536A ,2023-01-03

[8]

一种二硫化钼纳米薄片的制备方法 [P].

江峰 ;

闫鹏飞 .

中国专利 :CN110240199A ,2019-09-17

[9]

一种单层二硫化钼的制备方法 [P].

何大伟 ;

董艳芳 ;

何家琪 ;

赵思淇 ;

王永生 .

中国专利 :CN106835073A ,2017-06-13

[10]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

高庆国 ;

陈思敏 ;

陈滤成 ;

许哲铨 ;

张崇富 ;

潘新建 ;

于淼 ;

陈又鲜 .

中国专利 :CN115058700A ,2022-09-16

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