基于MoS2/Ga2O3异质结的光电探测器、制备方法及应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911170523.X

申请日：

2019-11-26

公开(公告)号：

CN111081808A

公开(公告)日：

2020-04-28

发明(设计)人：

苏杰田珂张鹏亮林珍华常晶晶

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L31109

IPC分类号：

H01L31032 H01L3118

代理机构：

西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223

代理人：

徐云侠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-28	公开	公开
2021-07-27	授权	授权
2020-05-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/109 申请日:20191126

共 50 条

[1]

基于Ga2O3/钙钛矿异质结的光电探测器及其制备方法 [P].

贾仁需 ;

董林鹏 ;

栾苏珍 ;

庞体强 ;

张玉明 ;

汪钰成 ;

刘银涛 .

中国专利 :CN107369763B ,2017-11-21

[2]

基于SnS2/MoS2的PEC型光电探测器及SnS2/MoS2异质结的制备方法 [P].

周译玄 ;

刘玉琪 ;

卢春辉 ;

徐新龙 ;

黄媛媛 .

中国专利 :CN114812805A ,2022-07-29

[3]

MoS2/Ta2NiSe5异质结光电探测器及其制备方法 [P].

张胜利 ;

郭婷婷 ;

魏鹏飞 ;

屈恒泽 ;

剪宇轩 ;

张静雯 ;

宋秀峰 .

中国专利 :CN115050846A ,2022-09-13

[4]

基于α-Ga2O3/TiO2异质结的日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

郭道友 ;

王顺利 ;

贺晨冉 ;

陶江伟 ;

张丽滢 ;

常裕鑫 .

中国专利 :CN111477699A ,2020-07-31

[5]

基于β-Ga2O3/FTO异质结的日盲紫外光电探测器及其制备 [P].

王霞 ;

李培刚 ;

唐为华 .

中国专利 :CN109755341A ,2019-05-14

[6]

一种基于Ga2O3/CuxO异质结的自驱动深紫外光电探测器及其制备方法 [P].

吴春艳 ;

朱晨岳 ;

杨震 ;

解光军 ;

黄明乐 .

中国专利 :CN115036386A ,2022-09-09

[7]

基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器 [P].

董志华 ;

周明 ;

曾春红 ;

林文魁 ;

王育天 ;

刘辉 ;

李仕琦 ;

刘国华 ;

程知群 .

中国专利 :CN111244203B ,2020-06-05

[8]

一种MoS2和GaAs异质结红外探测器及制备方法 [P].

潘昌翊 ;

邓惠勇 ;

汪越 ;

殷子薇 ;

窦伟 ;

刘赤县 ;

张祎 ;

姚晓梅 ;

戴宁 .

中国专利 :CN113690338A ,2021-11-23

[9]

基于β‑Ga2O3/SiC异质结薄膜的日盲型紫外探测器及其制备方法 [P].

王顺利 ;

安跃华 ;

郭道友 ;

李培刚 ;

钱银平 ;

王坤 ;

唐为华 .

中国专利 :CN105742398B ,2016-07-06

[10]

一种MoS2/SnSe2/H-TiO2异质结光电探测器的制备方法 [P].

吕慧丹 ;

王子良 ;

刘勇平 ;

班如静 ;

王璇 .

中国专利 :CN113097321A ,2021-07-09

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