一种MoS2/SnSe2/H-TiO2异质结光电探测器的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110345225.0

申请日：

2021-03-31

公开(公告)号：

CN113097321A

公开(公告)日：

2021-07-09

发明(设计)人：

吕慧丹王子良刘勇平班如静王璇

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号桂林理工大学

IPC主分类号：

H01L310336

IPC分类号：

H01L31109 H01L3118 B82Y3000

代理机构：

东莞市汇橙知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 44571

代理人：

黎敏强

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-09	公开	公开
2021-07-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0336 申请日:20210331

共 50 条

[1]

SnSe2/H-TiO2异质结光电探测器件及其制备方法 [P].

刘勇平 ;

朱睿 ;

吕慧丹 ;

刘威 ;

李时庆 ;

刘文慧 .

中国专利 :CN112864260A ,2021-05-28

[2]

一种C3N4/SnSe2/H-TiO2异质结光电探测器的制备方法 [P].

吕慧丹 ;

王子良 ;

刘勇平 ;

班如静 ;

王璇 .

中国专利 :CN113097320A ,2021-07-09

[3]

基于SnS2/MoS2的PEC型光电探测器及SnS2/MoS2异质结的制备方法 [P].

周译玄 ;

刘玉琪 ;

卢春辉 ;

徐新龙 ;

黄媛媛 .

中国专利 :CN114812805A ,2022-07-29

[4]

MoS2/Ta2NiSe5异质结光电探测器及其制备方法 [P].

张胜利 ;

郭婷婷 ;

魏鹏飞 ;

屈恒泽 ;

剪宇轩 ;

张静雯 ;

宋秀峰 .

中国专利 :CN115050846A ,2022-09-13

[5]

基于MoS2/Ga2O3异质结的光电探测器、制备方法及应用 [P].

苏杰 ;

田珂 ;

张鹏亮 ;

林珍华 ;

常晶晶 .

中国专利 :CN111081808A ,2020-04-28

[6]

一种GaN／MoS2二维范德华异质结光电探测器及其制备方法 [P].

张兴来 ;

刘宝丹 ;

李晶 ;

张建 ;

马宗义 .

中国专利 :CN110993703A ,2020-04-10

[7]

Ti-TiO2/P3HT异质结纤维的制备、异质结光电探测器及其制备 [P].

郑灵霞 ;

邓晓雷 ;

王永智 ;

郑华均 .

中国专利 :CN110828668A ,2020-02-21

[8]

GaSe/MoS2异质结的制备方法 [P].

何鹏 ;

张墅野 ;

胡平安 ;

林铁松 ;

张彦鑫 .

中国专利 :CN112216751A ,2021-01-12

[9]

高光响应TiO2/MoS2异质结可见光探测器及制备 [P].

孙颖慧 ;

刘丙绪 ;

王荣明 .

中国专利 :CN111725348A ,2020-09-29

[10]

一种MoS2和GaAs异质结红外探测器及制备方法 [P].

潘昌翊 ;

邓惠勇 ;

汪越 ;

殷子薇 ;

窦伟 ;

刘赤县 ;

张祎 ;

姚晓梅 ;

戴宁 .

中国专利 :CN113690338A ,2021-11-23

← 1 2 3 4 5 →