一种WS2/MoS2二维共格异质结网络材料及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210272095.7

申请日：

2022-03-18

公开(公告)号：

CN114709137A

公开(公告)日：

2022-07-05

发明(设计)人：

罗正汤刘宏伟

申请人：

申请人地址：

中国香港西贡区清水湾道香港科技大学

IPC主分类号：

H01L2136

IPC分类号：

H01L2924 H01L31032 H01L3118

代理机构：

广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288

代理人：

骆志豪

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-05	公开	公开

共 50 条

[1]

一种二维材料扭角WS2的制备及二维材料扭角WS2 [P].

许曼章 ;

纪洪嘉 ;

张晓杉 ;

骆磊 ;

王学文 ;

郑璐 ;

黄维 .

中国专利 :CN114990523A ,2022-09-02

[2]

一种WSe2/WS2垂直异质结纳米材料及其制备方法 [P].

李东 ;

游文霞 ;

郑弼元 ;

潘安练 .

中国专利 :CN114351112B ,2022-04-15

[3]

一种一维MoS2纳米管材料及其制备方法 [P].

王学文 ;

骆磊 ;

纪洪嘉 ;

许曼章 ;

黄维 .

中国专利 :CN115404460A ,2022-11-29

[4]

一种二维材料扭角WS<sub>2</sub>的制备及二维材料扭角WS<sub>2</sub> [P].

许曼章 ;

纪洪嘉 ;

张晓杉 ;

骆磊 ;

王学文 ;

郑璐 ;

黄维 .

中国专利 :CN114990523B ,2024-04-26

[5]

一种二维材料扭角MoS<sub>2</sub>的制备及二维材料扭角MoS<sub>2</sub> [P].

许曼章 ;

纪洪嘉 ;

骆磊 ;

张晓杉 ;

王学文 ;

郑璐 ;

黄维 .

中国专利 :CN114959637B ,2024-05-28

[6]

一种单层MoS2-WS2横向异质结的制备方法 [P].

张永哲 ;

李毓佛 ;

陈永锋 ;

王佳蕊 ;

安博星 ;

马洋 ;

严辉 .

中国专利 :CN110808281A ,2020-02-18

[7]

一种生长Fe掺杂单层WS2二维晶体的方法 [P].

聂安民 ;

康梦克 ;

向健勇 ;

柳忠元 ;

田永君 .

中国专利 :CN111218717B ,2020-06-02

[8]

一种WSe2/MoS2复合热电材料的制备方法 [P].

冀璞光 ;

郭志易 ;

殷福星 ;

王志伟 ;

刘影 ;

韩双斌 ;

康少明 ;

冯建航 ;

闫钰夫 ;

王宇 .

中国专利 :CN113782665A ,2021-12-10

[9]

一种二维氮化镓材料及其制备方法 [P].

王文樑 ;

江弘胜 ;

李国强 .

中国专利 :CN115449776A ,2022-12-09

[10]

一种MoS2/MoO3/TiO2复合光催化材料及其制备方法与应用 [P].

季小红 ;

李振宇 .

中国专利 :CN111905768A ,2020-11-10

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