InGaAs/InP PIN光电探测器及其制造工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02154606.1

申请日：

2002-11-25

公开(公告)号：

CN1188914C

公开(公告)日：

2003-04-30

发明(设计)人：

陈朝刘宝林

申请人：

申请人地址：

361005福建省厦门市思明南路422号

IPC主分类号：

H01L31072

IPC分类号：

H01L2714 H01L3118

代理机构：

厦门南强之路专利事务所

代理人：

马应森

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-02-09	授权	授权
2003-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-01-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101563322396 IPC(主分类):H01L 31/072 专利号:ZL021546061 申请日:20021125 授权公告日:20050209 终止日期:20121125
2003-04-30	公开	公开

共 50 条

[1]

InGaAs/InP平面型光电探测器扩散结的检测方法 [P].

李天信 ;

陆卫 ;

殷豪 ;

李永富 ;

王文娟 ;

唐恒敬 ;

李宁 ;

李志峰 ;

陈效双 ;

龚海梅 .

中国专利 :CN101545884A ,2009-09-30

[2]

一种InP PIN光电探测器光电集成器件 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN206451726U ,2017-08-29

[3]

一种平面InGaAs/InP APD光电探测器的制备方法 [P].

肖雪芳 .

中国专利 :CN113707763A ,2021-11-26

[4]

一种应力平衡InP-InGaAs雪崩光电探测器及其制备方法 [P].

朱岩 ;

王淑萍 ;

王娟 ;

弭伟 ;

何林安 ;

王迪 ;

赵金石 .

中国专利 :CN121240586A ,2025-12-30

[5]

基于InGaAs/InAlAs/InP雪崩光电探测器的结构优化方法 [P].

王航 ;

谭明 ;

吴渊渊 ;

黄欣萍 ;

陆书龙 .

中国专利 :CN111276555A ,2020-06-12

[6]

InGaAs探测器及其制造方法 [P].

庄春泉 ;

龚君挺 ;

顾溢 ;

刘大福 ;

李雪 .

中国专利 :CN116960194B ,2024-08-23

[7]

一种横向PIN光电探测器及其制造方法 [P].

向磊 ;

魏明 ;

李明欣 .

中国专利 :CN120224829A ,2025-06-27

[8]

基于异质集成和垂直光耦合的硅基InGaAs PIN光电探测器 [P].

盛振 ;

仇超 ;

甘甫烷 ;

武爱民 ;

杜骏杰 ;

陈静 ;

王曦 ;

邹世昌 .

中国专利 :CN102779892A ,2012-11-14

[9]

横向PiN结构光电探测器 [P].

张亮 .

中国专利 :CN107658363A ,2018-02-02

[10]

无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器 [P].

刘宝林 ;

张保平 ;

毛明华 .

中国专利 :CN100544038C ,2008-05-28

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