基于异质集成和垂直光耦合的硅基InGaAs PIN光电探测器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110120147.0

申请日：

2011-05-10

公开(公告)号：

CN102779892A

公开(公告)日：

2012-11-14

发明(设计)人：

盛振仇超甘甫烷武爱民杜骏杰陈静王曦邹世昌

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L31105

IPC分类号：

H01L310232 H01L310216 G02B634

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

李仪萍

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101375968355 IPC(主分类):H01L 31/105 专利申请号:2011101201470 申请日:20110510
2012-11-14	公开	公开
2015-01-21	授权	授权

共 50 条

[1]

InGaAs/InP PIN光电探测器及其制造工艺 [P].

陈朝 ;

刘宝林 .

中国专利 :CN1188914C ,2003-04-30

[2]

硅基锗光电探测器 [P].

周治平 ;

涂芝娟 ;

华锋 ;

王会涛 ;

张琦 .

中国专利 :CN106328751A ,2017-01-11

[3]

一种Si基InGaAs光电探测器的制备方法及光电探测器 [P].

欧欣 ;

池超旦 ;

林家杰 ;

游天桂 .

中国专利 :CN111653649A ,2020-09-11

[4]

硅基光电探测器的制造方法 [P].

张鹏 ;

唐波 ;

李志华 ;

李彬 ;

刘若男 .

中国专利 :CN111048626B ,2020-04-21

[5]

基于硅基光电探测器的硬X射线探测器 [P].

汪朝敏 ;

王小东 ;

郭培 .

中国专利 :CN107247285A ,2017-10-13

[6]

基于硅基锗光电探测器的光电探测方法和系统及设备 [P].

崔积适 ;

刘持标 ;

邱锦明 ;

陈洪敏 .

中国专利 :CN109616532B ,2019-04-12

[7]

P+PIN硅光电探测器 [P].

潘银松 ;

孔谋夫 ;

林聚承 ;

张仁富 .

中国专利 :CN101090138A ,2007-12-19

[8]

基于锗-钛酸钡异质集成的光电探测器件 [P].

李雨 ;

储博涵 ;

郭宇耀 ;

陆梁军 ;

周林杰 ;

陈建平 .

中国专利 :CN119153573A ,2024-12-17

[9]

用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法 [P].

颜黄苹 ;

程翔 ;

卞剑涛 ;

陈朝 ;

芦晶 .

中国专利 :CN101719504B ,2010-06-02

[10]

一种硅基混合集成雪崩光电探测器 [P].

尹冬冬 ;

杨晓红 ;

韩勤 ;

何婷婷 ;

吕倩倩 .

中国专利 :CN105789366B ,2016-07-20

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