一种制备半哈斯勒热电化合物的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200810059931.3
申请日
2008-03-04
公开(公告)号
CN101245426A
公开(公告)日
2008-08-20
发明(设计)人
蔚翠 朱铁军 徐绩 姜广宇 赵波 赵新兵
申请人
申请人地址
310027浙江省杭州市浙大路38号
IPC主分类号
C22C1300
IPC分类号
C22C102
代理机构
杭州求是专利事务所有限公司
代理人
韩介梅
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[21]
一种高构型熵热电化合物及其设计方法与制备方法 [P]. 
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杨东旺 ;
鄢永高 ;
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[22]
一种铜硒化合物热电材料及其制备方法 [P]. 
孙海瑞 ;
刘晓兵 ;
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王超 ;
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[23]
快速制备单相Bi2S3热电化合物的方法 [P]. 
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[24]
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杨世琪 ;
仇鹏飞 ;
史迅 ;
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[25]
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[26]
新型半导体化合物及其制备方法以及使用该半导体化合物的热电元件 [P]. 
朴哲凞 ;
孙世姬 ;
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[27]
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[28]
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[29]
Bi2Sr2Co2Oy热电化合物的制备方法 [P]. 
唐新峰 ;
高文斌 ;
张莉 ;
张清杰 .
中国专利 :CN101327962A ,2008-12-24
[30]
热电化合物BaCu2Se2材料及其制备方法 [P]. 
郭凯 ;
翁天瑶 ;
李洋 ;
骆军 .
中国专利 :CN113421958A ,2021-09-21