硅单晶的拉制方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010143832.0

申请日：

2010-03-29

公开(公告)号：

CN101922041B

公开(公告)日：

2010-12-22

发明(设计)人：

M·贝尔

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

C30B1520

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

苗征;于辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101035896352 IPC(主分类):C30B 15/20 专利申请号:2010101438320 申请日:20100329
2010-12-22	公开	公开
2012-12-12	授权	授权

共 50 条

[1]

硅单晶拉制方法 [P].

李英涛 ;

徐由兵 ;

贾瑞峰 ;

邹凯 ;

高一凡 ;

曾世铭 .

中国专利 :CN105063744A ,2015-11-18

[2]

直拉硅单晶炉装置及硅单晶拉制方法 [P].

周俭 .

中国专利 :CN102234836A ,2011-11-09

[3]

CZ法拉制硅单晶锭的杂质源、硅单晶锭及其拉制方法 [P].

李涛勇 ;

闫洪嘉 ;

许堃 ;

李林东 .

中国专利 :CN118727125A ,2024-10-01

[4]

CZ法拉制硅单晶锭的杂质源、硅单晶锭及其拉制方法 [P].

李涛勇 ;

闫洪嘉 ;

许堃 ;

李林东 .

中国专利 :CN118727125B ,2025-01-03

[5]

重掺硼硅单晶棒的拉制方法 [P].

沈杨宇 ;

韩建超 ;

陈建纲 ;

刘苏生 .

中国专利 :CN104746138A ,2015-07-01

[6]

一种拉制硅单晶工艺方法 [P].

顾月强 ;

谢海涛 .

中国专利 :CN1333115C ,2005-11-16

[7]

直拉硅单晶的装置及第一坩埚、直拉硅单晶及拉制方法 [P].

闫洪嘉 ;

李涛勇 .

中国专利 :CN121204806A ,2025-12-26

[8]

区熔硅单晶收尾方法和拉制方法 [P].

袁静 ;

关树军 ;

陈辉 .

中国专利 :CN110318096A ,2019-10-11

[9]

一种区熔硅单晶的拉制方法 [P].

乔柳 ;

张雪囡 ;

张长旭 ;

孙健 ;

李立伟 ;

王彦君 .

中国专利 :CN103436951A ,2013-12-11

[10]

拉制重掺磷硅单晶后的排气方法 [P].

伊冉 ;

曹启刚 ;

芮阳 ;

杨凯 ;

王黎光 ;

蔡瑞 ;

魏兴彤 ;

马佳乐 .

中国专利 :CN119956471A ,2025-05-09

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