直拉硅单晶的装置及第一坩埚、直拉硅单晶及拉制方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511746850.0

申请日：

2025-11-26

公开(公告)号：

CN121204806A

公开(公告)日：

2025-12-26

发明(设计)人：

闫洪嘉李涛勇

申请人：

苏州晨晖智能设备有限公司

申请人地址：

215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道88号G3-2401

IPC主分类号：

C30B15/00

IPC分类号：

C30B15/10 C30B29/06 C30B15/20 C30B15/14

代理机构：

北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463

代理人：

赵炎

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-26	公开	公开

共 50 条

[1]

直拉硅单晶炉装置及硅单晶拉制方法 [P].

周俭 .

中国专利 :CN102234836A ,2011-11-09

[2]

硅单晶及硅单晶直拉方法 [P].

廖才超 ;

白枭龙 ;

熊波 ;

苏锦锋 ;

康玉虎 ;

闫凯华 .

中国专利 :CN120350427A ,2025-07-22

[3]

直拉硅单晶的收尾方法及直拉硅单晶的制备方法 [P].

王思锋 ;

潘永娥 ;

潘得俊 .

中国专利 :CN106676621B ,2017-05-17

[4]

直拉硅单晶制备用坩埚 [P].

张果虎 ;

周旗钢 ;

戴小林 ;

姜舰 .

中国专利 :CN201089804Y ,2008-07-23

[5]

直拉硅单晶炉 [P].

胥俊东 .

中国专利 :CN111041551A ,2020-04-21

[6]

单晶炉重锤、单晶炉、硅单晶的直拉方法及硅单晶 [P].

尚繁 ;

周浩 ;

郭凯 .

中国专利 :CN103590098B ,2014-02-19

[7]

用于直拉硅单晶生长的双层坩埚 [P].

曾泽斌 .

中国专利 :CN102409396A ,2012-04-11

[8]

直拉硅单晶热场 [P].

陈康 ;

马洋 ;

王军磊 ;

王建平 ;

谷守伟 ;

贾海洋 ;

王永青 ;

梁山 ;

郝勇 .

中国专利 :CN204251760U ,2015-04-08

[9]

直拉硅单晶热场 [P].

刘彬国 ;

何京辉 ;

曹祥瑞 ;

颜超 .

中国专利 :CN101949057A ,2011-01-19

[10]

直拉硅单晶炉装置 [P].

周俭 .

中国专利 :CN201648562U ,2010-11-24

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