直拉硅单晶制备用坩埚

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200720173441.7

申请日：

2007-09-28

公开(公告)号：

CN201089804Y

公开(公告)日：

2008-07-23

发明(设计)人：

张果虎周旗钢戴小林姜舰

申请人：

申请人地址：

100088北京市新街口外大街2号

IPC主分类号：

C30B1510

IPC分类号：

F27B1400

代理机构：

北京北新智诚知识产权代理有限公司

代理人：

郭佩兰

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

一种直拉硅单晶制备用坩埚 [P].

吴志强 ;

戴小林 ;

崔彬 ;

姜舰 .

中国专利 :CN201089805Y ,2008-07-23

[2]

用于直拉硅单晶生长的双层坩埚 [P].

曾泽斌 .

中国专利 :CN102409396A ,2012-04-11

[3]

用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置 [P].

张雪囡 ;

康冬辉 ;

李建弘 ;

高树良 .

中国专利 :CN202099408U ,2012-01-04

[4]

一种直拉硅单晶炉用坩埚 [P].

赵彩霞 ;

张波 ;

梁玲 ;

杨旭彪 .

中国专利 :CN221254774U ,2024-07-02

[5]

直拉硅单晶的装置及第一坩埚、直拉硅单晶及拉制方法 [P].

闫洪嘉 ;

李涛勇 .

中国专利 :CN121204806A ,2025-12-26

[6]

一种用于直拉硅单晶生长的双层坩埚 [P].

曾泽斌 .

中国专利 :CN202380124U ,2012-08-15

[7]

一种直拉硅单晶炉用坩埚架 [P].

张波 ;

赵彩霞 ;

杨旭彪 ;

梁玲 ;

吕涛 .

中国专利 :CN220685313U ,2024-03-29

[8]

一种直拉硅单晶用石英坩埚及用直拉法生长硅单晶锭的方法 [P].

张鹏 ;

许堃 ;

闫洪嘉 ;

梁勇 ;

吴松 .

中国专利 :CN119956474B ,2025-07-08

[9]

一种直拉硅单晶用石英坩埚及用直拉法生长硅单晶锭的方法 [P].

张鹏 ;

许堃 ;

闫洪嘉 ;

梁勇 ;

吴松 .

中国专利 :CN119956474A ,2025-05-09

[10]

直拉硅单晶的收尾方法及直拉硅单晶的制备方法 [P].

王思锋 ;

潘永娥 ;

潘得俊 .

中国专利 :CN106676621B ,2017-05-17

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-01	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101717155858 IPC(主分类):C30B 15/10 专利号:ZL2007201734417 变更事项:专利权人变更前权利人:有研新材料股份有限公司变更后权利人:有研半导体材料有限公司变更事项:地址变更前权利人:100088 北京市新街口外大街2号变更后权利人:101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧登记生效日:20150611
2008-07-23	授权	授权
2017-10-31	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):C30B 15/10 申请日:20070928 授权公告日:20080723
2014-06-25	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101702231872 IPC(主分类):C30B 15/10 专利号:ZL2007201734417 变更事项:专利权人变更前:有研半导体材料股份有限公司变更后:有研新材料股份有限公司变更事项:地址变更前:100088 北京市新街口外大街2号变更后:100088 北京市新街口外大街2号
2012-03-14	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101298124011 IPC(主分类):C30B 15/10 专利号:ZL2007201734417 变更事项:专利权人变更前权利人:北京有色金属研究总院变更后权利人:有研半导体材料股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:100088 北京市新街口外大街2号变更后权利人:100088 北京市新街口外大街2号变更事项:共同专利权人变更前权利人:有研半导体材料股份有限公司变更后权利人:无登记生效日:20120131