一种基于氮化镓/铝镓氮异质结的电压传感器及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911283736.3

申请日：

2019-12-13

公开(公告)号：

CN112968001A

公开(公告)日：

2021-06-15

发明(设计)人：

万景刘冉叶怀宇张国旗

申请人：

申请人地址：

518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼

IPC主分类号：

H01L218252

IPC分类号：

H01L27088 G01R1900

代理机构：

北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888

代理人：

彭随丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-15	公开	公开
2021-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8252 申请日:20191213

共 50 条

[1]

一种基于氮化镓/铝镓氮异质结的磁场传感器 [P].

万景 ;

刘冉 ;

叶怀宇 ;

张国旗 .

中国专利 :CN110783450A ,2020-02-11

[2]

基于氮化镓/铝镓氮/氮化镓异质结的温度传感器及其制备方法 [P].

于洪宇 ;

孙宇涵 ;

蒋玉龙 .

中国专利 :CN120970836A ,2025-11-18

[3]

氮化镓基异质结气敏传感器的制作方法 [P].

唐健 ;

宋金德 ;

宋杰 ;

董维胜 ;

陆从相 ;

刘成林 ;

陈杰 .

中国专利 :CN105651817A ,2016-06-08

[4]

铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法 [P].

王晓亮 ;

彭恩超 ;

王翠梅 ;

肖红领 ;

冯春 ;

姜丽娟 ;

陈竑 .

中国专利 :CN102931230A ,2013-02-13

[5]

氧化镓氮化镓异质结栅的氮化镓HEMT器件及制备方法 [P].

宋庆文 ;

张泽雨林 ;

张春福 ;

汤晓燕 ;

张玉明 ;

袁昊 .

中国专利 :CN115458595A ,2022-12-09

[6]

氮化镓传感器的电桥结构、氮化镓传感器及其制备方法 [P].

刘云鹏 ;

孙剑文 ;

卓启明 .

中国专利 :CN118565619A ,2024-08-30

[7]

基于氮化镓衬底的渐变铝组分铝镓氮MOSFET及制备方法 [P].

周弘 ;

王捷英 ;

张进成 ;

刘志宏 ;

许晟瑞 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113611734A ,2021-11-05

[8]

氮化镓基温度传感器、制备方法及应用 [P].

吴增远 ;

彭宇杰 ;

蔡勇 .

中国专利 :CN120751761A ,2025-10-03

[9]

氮化镓基液体传感器及其制备方法 [P].

罗卫军 ;

陈晓娟 ;

袁婷婷 ;

庞磊 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN102830137B ,2012-12-19

[10]

一种氮化镓传感器及其制备方法 [P].

于洪宇 ;

汪青 ;

王中锐 ;

蒋洋 ;

杜方洲 ;

李汶懋 .

中国专利 :CN118800797A ,2024-10-18

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