基于氮化镓衬底的渐变铝组分铝镓氮MOSFET及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110845118.4

申请日：

2021-07-26

公开(公告)号：

CN113611734A

公开(公告)日：

2021-11-05

发明(设计)人：

周弘王捷英张进成刘志宏许晟瑞郝跃

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2920 H01L21336 H01L2978

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20210726
2021-11-05	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于铝组分渐变帽层的氮化镓器件 [P].

崔鹏 ;

张铁瀛 ;

韩吉胜 ;

汉多科·林纳威赫 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN118380460B ,2024-09-27

[2]

一种基于铝组分渐变帽层的氮化镓器件 [P].

崔鹏 ;

张铁瀛 ;

韩吉胜 ;

汉多科·林纳威赫 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN118380460A ,2024-07-23

[3]

基于氮化镓/铝镓氮/氮化镓异质结的温度传感器及其制备方法 [P].

于洪宇 ;

孙宇涵 ;

蒋玉龙 .

中国专利 :CN120970836A ,2025-11-18

[4]

氮化镓衬底以及氮化镓衬底测试及制造方法 [P].

八乡昭广 .

中国专利 :CN100580909C ,2007-09-19

[5]

铝镓氮材料及其制备方法 [P].

孙兆兰 ;

杨静 ;

赵德刚 ;

梁锋 ;

刘宗顺 ;

陈平 ;

张宇恒 .

中国专利 :CN119153316A ,2024-12-17

[6]

一种基于氮化镓/铝镓氮异质结的磁场传感器 [P].

万景 ;

刘冉 ;

叶怀宇 ;

张国旗 .

中国专利 :CN110783450A ,2020-02-11

[7]

制备用于生长氮化镓的衬底和制备氮化镓衬底的方法 [P].

金容进 ;

金知勋 ;

李东键 ;

金杜洙 ;

李浩准 .

中国专利 :CN101388338B ,2009-03-18

[8]

同质外延氮化镓衬底处理方法及氮化镓衬底 [P].

王元刚 ;

冯志红 ;

吕元杰 ;

张志荣 ;

周幸叶 ;

谭鑫 ;

宋旭波 ;

梁士雄 .

中国专利 :CN110797259B ,2020-02-14

[9]

一种基于氮化镓/铝镓氮异质结的电压传感器及制备方法 [P].

万景 ;

刘冉 ;

叶怀宇 ;

张国旗 .

中国专利 :CN112968001A ,2021-06-15

[10]

高效制备氮化镓衬底的方法 [P].

修向前 ;

李悦文 ;

张荣 ;

谢自力 ;

陈鹏 ;

刘斌 ;

郑有炓 ;

李红梅 .

中国专利 :CN112259446A ,2021-01-22

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