一种晶片腐蚀液及腐蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011057130.0

申请日：

2020-09-29

公开(公告)号：

CN112251818A

公开(公告)日：

2021-01-22

发明(设计)人：

周一毕洪伟

申请人：

申请人地址：

404040 重庆市万州区万州经开区高峰园B02

IPC主分类号：

C30B3310

IPC分类号：

C30B2940

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

张晨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 33/10 申请日:20200929
2022-12-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 33/10 申请公布日:20210122
2021-01-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液及腐蚀方法 [P].

林健 ;

赵权 ;

刘春香 ;

吕菲 ;

杨洪星 ;

于妍 ;

佟丽英 .

中国专利 :CN102796526A ,2012-11-28

[2]

一种晶片的位错腐蚀液及位错腐蚀方法 [P].

练小正 ;

高洁 ;

胡萍 ;

许照原 .

中国专利 :CN116815330B ,2024-07-12

[3]

一种磷化铟晶片的腐蚀方法 [P].

周一 ;

毕洪伟 ;

彭杰 .

中国专利 :CN113707535B ,2024-07-19

[4]

一种磷化铟晶片的腐蚀方法 [P].

周一 ;

毕洪伟 ;

彭杰 .

中国专利 :CN113707535A ,2021-11-26

[5]

一种半导体硅晶片腐蚀液及其腐蚀方法 [P].

郏金鹏 ;

陈诚 ;

王平 ;

王峰 ;

张各海 ;

袁超 ;

张凌鹓 .

中国专利 :CN106024675A ,2016-10-12

[6]

一种用于磷化铟表面孪晶识别的腐蚀液及腐蚀方法 [P].

宋向荣 ;

严卫东 ;

周铁军 ;

马金峰 ;

刘火阳 ;

詹晨晨 .

中国专利 :CN110453289A ,2019-11-15

[7]

一种腐蚀液及腐蚀方法 [P].

李春领 ;

侯晓敏 ;

刘海龙 ;

张瑛侠 ;

孙海燕 .

中国专利 :CN103205752A ,2013-07-17

[8]

腐蚀液及腐蚀方法 [P].

板野充司 ;

金村崇 ;

百田博史 ;

渡边大祐 .

中国专利 :CN1682355A ,2005-10-12

[9]

腐蚀多孔硅用的腐蚀液以及、使用该腐蚀液的腐蚀方法 [P].

坂口清文 ;

米原隆夫 ;

左藤信彦 .

中国专利 :CN1037727C ,1992-12-02

[10]

一种镍铬合金金相腐蚀液及腐蚀方法 [P].

杨志强 ;

陈琴 ;

刘广龙 ;

王克震 ;

张海峰 ;

熊炜 ;

李琛 .

中国专利 :CN104513985A ,2015-04-15

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