一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液及腐蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210274330.0

申请日：

2012-08-02

公开(公告)号：

CN102796526A

公开(公告)日：

2012-11-28

发明(设计)人：

林健赵权刘春香吕菲杨洪星于妍佟丽英

申请人：

申请人地址：

300220 天津市河西区洞庭路26号

IPC主分类号：

C09K1304

IPC分类号：

C30B3310

代理机构：

工业和信息化部电子专利中心 11010

代理人：

梁军

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-31	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101709175788 IPC(主分类):C09K 13/04 专利申请号:2012102743300 申请公布日:20121128
2012-11-28	公开	公开
2013-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101383319385 IPC(主分类):C09K 13/04 专利申请号:2012102743300 申请日:20120802

共 50 条

[1]

一种磷化铟单晶片的腐蚀方法 [P].

刘京明 ;

杨凤云 ;

王凤华 ;

段满龙 .

中国专利 :CN107723802A ,2018-02-23

[2]

一种用于磷化铟表面孪晶识别的腐蚀液及腐蚀方法 [P].

宋向荣 ;

严卫东 ;

周铁军 ;

马金峰 ;

刘火阳 ;

詹晨晨 .

中国专利 :CN110453289A ,2019-11-15

[3]

一种磷化铟晶片的腐蚀方法 [P].

周一 ;

毕洪伟 ;

彭杰 .

中国专利 :CN113707535B ,2024-07-19

[4]

一种磷化铟晶片的腐蚀方法 [P].

周一 ;

毕洪伟 ;

彭杰 .

中国专利 :CN113707535A ,2021-11-26

[5]

一种晶片腐蚀液及腐蚀方法 [P].

周一 ;

毕洪伟 .

中国专利 :CN112251818A ,2021-01-22

[6]

一种蒸发雾化腐蚀磷化铟晶片的方法 [P].

毛伟文 ;

郑金龙 ;

吴晓桂 ;

杨江 .

中国专利 :CN114156171A ,2022-03-08

[7]

一种蒸发雾化腐蚀磷化铟晶片的方法 [P].

毛伟文 ;

郑金龙 ;

吴晓桂 ;

杨江 .

中国专利 :CN114156171B ,2025-10-24

[8]

一种磷化铟减薄腐蚀液及其应用 [P].

邢峥 ;

李海淼 .

中国专利 :CN114540033A ,2022-05-27

[9]

一种磷化铟晶片腐蚀装置 [P].

房现阁 ;

柯尊斌 ;

王卿伟 .

中国专利 :CN216514267U ,2022-05-13

[10]

一种磷化铟晶片的腐蚀装置 [P].

刘良副 ;

马金峰 ;

毛伟文 ;

杨登登 ;

郑金龙 ;

张冲波 ;

周铁军 .

中国专利 :CN117747508A ,2024-03-22

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