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一种磷化铟晶片的腐蚀装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311836913.2
申请日
:
2023-12-28
公开(公告)号
:
CN117747508A
公开(公告)日
:
2024-03-22
发明(设计)人
:
刘良副
马金峰
毛伟文
杨登登
郑金龙
张冲波
周铁军
申请人
:
广东先导微电子科技有限公司
申请人地址
:
511517 广东省清远市高新区创兴三路16号A车间
IPC主分类号
:
H01L21/67
IPC分类号
:
H01L21/677
H01L21/68
代理机构
:
北京天盾知识产权代理有限公司 11421
代理人
:
肖小龙
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
江苏省 常州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-04-09
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/67申请日:20231228
2024-03-22
公开
公开
共 50 条
[1]
一种磷化铟晶片腐蚀装置
[P].
房现阁
论文数:
0
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0
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房现阁
;
柯尊斌
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柯尊斌
;
王卿伟
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0
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王卿伟
.
中国专利
:CN216514267U
,2022-05-13
[2]
一种磷化铟晶片的腐蚀方法
[P].
周一
论文数:
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机构:
威科赛乐微电子股份有限公司
威科赛乐微电子股份有限公司
周一
;
毕洪伟
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机构:
威科赛乐微电子股份有限公司
威科赛乐微电子股份有限公司
毕洪伟
;
彭杰
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机构:
威科赛乐微电子股份有限公司
威科赛乐微电子股份有限公司
彭杰
.
中国专利
:CN113707535B
,2024-07-19
[3]
一种磷化铟晶片的腐蚀方法
[P].
周一
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周一
;
毕洪伟
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毕洪伟
;
彭杰
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彭杰
.
中国专利
:CN113707535A
,2021-11-26
[4]
一种磷化铟单晶片的腐蚀方法
[P].
刘京明
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刘京明
;
杨凤云
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杨凤云
;
王凤华
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王凤华
;
段满龙
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0
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段满龙
.
中国专利
:CN107723802A
,2018-02-23
[5]
一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液及腐蚀方法
[P].
林健
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林健
;
赵权
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赵权
;
刘春香
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刘春香
;
吕菲
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吕菲
;
杨洪星
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杨洪星
;
于妍
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于妍
;
佟丽英
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佟丽英
.
中国专利
:CN102796526A
,2012-11-28
[6]
一种蒸发雾化腐蚀磷化铟晶片的方法
[P].
毛伟文
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毛伟文
;
郑金龙
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郑金龙
;
吴晓桂
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吴晓桂
;
杨江
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杨江
.
中国专利
:CN114156171A
,2022-03-08
[7]
一种蒸发雾化腐蚀磷化铟晶片的方法
[P].
毛伟文
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机构:
广东先导微电子科技有限公司
广东先导微电子科技有限公司
毛伟文
;
郑金龙
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机构:
广东先导微电子科技有限公司
广东先导微电子科技有限公司
郑金龙
;
吴晓桂
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机构:
广东先导微电子科技有限公司
广东先导微电子科技有限公司
吴晓桂
;
杨江
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机构:
广东先导微电子科技有限公司
广东先导微电子科技有限公司
杨江
.
中国专利
:CN114156171B
,2025-10-24
[8]
一种磷化铟晶片退火装置
[P].
房现阁
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房现阁
;
柯尊斌
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柯尊斌
;
王卿伟
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王卿伟
;
郭友林
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0
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郭友林
.
中国专利
:CN212648204U
,2021-03-02
[9]
一种磷化铟晶片化蜡装置
[P].
李国庆
论文数:
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0
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机构:
北京上鼎嘉成科技有限公司
北京上鼎嘉成科技有限公司
李国庆
.
中国专利
:CN221028788U
,2024-05-28
[10]
一种磷化铟晶片的清洗方法
[P].
郑金龙
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郑金龙
;
刘兴达
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刘兴达
;
曾琦
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曾琦
;
柯尊斌
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柯尊斌
;
王卿伟
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王卿伟
.
中国专利
:CN113035690A
,2021-06-25
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