一种磷化铟晶片的腐蚀装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311836913.2
申请日
2023-12-28
公开(公告)号
CN117747508A
公开(公告)日
2024-03-22
发明(设计)人
刘良副 马金峰 毛伟文 杨登登 郑金龙 张冲波 周铁军
申请人
广东先导微电子科技有限公司
申请人地址
511517 广东省清远市高新区创兴三路16号A车间
IPC主分类号
H01L21/67
IPC分类号
H01L21/677 H01L21/68
代理机构
北京天盾知识产权代理有限公司 11421
代理人
肖小龙
法律状态
实质审查的生效
国省代码
江苏省 常州市
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共 50 条
[1]
一种磷化铟晶片腐蚀装置 [P]. 
房现阁 ;
柯尊斌 ;
王卿伟 .
中国专利 :CN216514267U ,2022-05-13
[2]
一种磷化铟晶片的腐蚀方法 [P]. 
周一 ;
毕洪伟 ;
彭杰 .
中国专利 :CN113707535B ,2024-07-19
[3]
一种磷化铟晶片的腐蚀方法 [P]. 
周一 ;
毕洪伟 ;
彭杰 .
中国专利 :CN113707535A ,2021-11-26
[4]
一种磷化铟单晶片的腐蚀方法 [P]. 
刘京明 ;
杨凤云 ;
王凤华 ;
段满龙 .
中国专利 :CN107723802A ,2018-02-23
[5]
一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液及腐蚀方法 [P]. 
林健 ;
赵权 ;
刘春香 ;
吕菲 ;
杨洪星 ;
于妍 ;
佟丽英 .
中国专利 :CN102796526A ,2012-11-28
[6]
一种蒸发雾化腐蚀磷化铟晶片的方法 [P]. 
毛伟文 ;
郑金龙 ;
吴晓桂 ;
杨江 .
中国专利 :CN114156171A ,2022-03-08
[7]
一种蒸发雾化腐蚀磷化铟晶片的方法 [P]. 
毛伟文 ;
郑金龙 ;
吴晓桂 ;
杨江 .
中国专利 :CN114156171B ,2025-10-24
[8]
一种磷化铟晶片退火装置 [P]. 
房现阁 ;
柯尊斌 ;
王卿伟 ;
郭友林 .
中国专利 :CN212648204U ,2021-03-02
[9]
一种磷化铟晶片化蜡装置 [P]. 
李国庆 .
中国专利 :CN221028788U ,2024-05-28
[10]
一种磷化铟晶片的清洗方法 [P]. 
郑金龙 ;
刘兴达 ;
曾琦 ;
柯尊斌 ;
王卿伟 .
中国专利 :CN113035690A ,2021-06-25