一种蒸发雾化腐蚀磷化铟晶片的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111462322.4

申请日：

2021-12-02

公开(公告)号：

CN114156171B

公开(公告)日：

2025-10-24

发明(设计)人：

毛伟文郑金龙吴晓桂杨江

申请人：

广东先导微电子科技有限公司

申请人地址：

511500 广东省清远市高新区创兴三路16号A车间

IPC主分类号：

H01L21/306

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴晓静

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-24	授权	授权

共 50 条

[1]

一种蒸发雾化腐蚀磷化铟晶片的方法 [P].

毛伟文 ;

郑金龙 ;

吴晓桂 ;

杨江 .

中国专利 :CN114156171A ,2022-03-08

[2]

一种磷化铟晶片的腐蚀方法 [P].

周一 ;

毕洪伟 ;

彭杰 .

中国专利 :CN113707535B ,2024-07-19

[3]

一种磷化铟晶片的腐蚀方法 [P].

周一 ;

毕洪伟 ;

彭杰 .

中国专利 :CN113707535A ,2021-11-26

[4]

一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液及腐蚀方法 [P].

林健 ;

赵权 ;

刘春香 ;

吕菲 ;

杨洪星 ;

于妍 ;

佟丽英 .

中国专利 :CN102796526A ,2012-11-28

[5]

一种磷化铟单晶片的腐蚀方法 [P].

刘京明 ;

杨凤云 ;

王凤华 ;

段满龙 .

中国专利 :CN107723802A ,2018-02-23

[6]

一种磷化铟晶片的腐蚀装置 [P].

刘良副 ;

马金峰 ;

毛伟文 ;

杨登登 ;

郑金龙 ;

张冲波 ;

周铁军 .

中国专利 :CN117747508A ,2024-03-22

[7]

一种磷化铟晶片腐蚀装置 [P].

房现阁 ;

柯尊斌 ;

王卿伟 .

中国专利 :CN216514267U ,2022-05-13

[8]

一种磷化铟晶片的清洗方法 [P].

郑金龙 ;

刘兴达 ;

曾琦 ;

柯尊斌 ;

王卿伟 .

中国专利 :CN113035690A ,2021-06-25

[9]

用于磷化铟晶片亚表面损伤的腐蚀检测方法 [P].

郑东 ;

王雪 ;

肖迪 ;

王鑫 ;

戴磊 .

中国专利 :CN120147280A ,2025-06-13

[10]

一种磷化铟芯片抛光用腐蚀液、磷化铟芯片抛光方法及磷化铟芯片 [P].

王波 ;

凌龙 ;

方文德 .

中国专利 :CN119592381A ,2025-03-11

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