一种钙钛矿结构镧锶锰氧半金属薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510030773.5

申请日：

2005-10-27

公开(公告)号：

CN1757785A

公开(公告)日：

2006-04-12

发明(设计)人：

张群黄丽华中一

申请人：

申请人地址：

200433上海市邯郸路220号

IPC主分类号：

C23C1400

IPC分类号：

C23C1406 C23C1428 C23C1454 C23C1458

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司

代理人：

姚静芳

法律状态：

实质审查的生效

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-06-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-05-07	授权	授权
2006-04-12	公开	公开
2011-12-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101161909775 IPC(主分类):C23C 14/00 专利号:ZL2005100307735 申请日:20051027 授权公告日:20080507 终止日期:20101027

共 50 条

[1]

一种镧钙锰氧-镧锶锰氧-钛酸锶铅复合薄膜及其制备方法 [P].

董显林 ;

薛粉 ;

陈莹 ;

王根水 .

中国专利 :CN106947959A ,2017-07-14

[2]

一种镧锶锰氧薄膜制备方法 [P].

王学锋 ;

袁霄 ;

陈勇达 ;

刘汝新 ;

张荣 .

中国专利 :CN113106398B ,2021-07-13

[3]

一种镧锶锰氧-钛酸锶铅复合薄膜及其制备方法 [P].

陈莹 ;

董显林 ;

王根水 ;

张帅 .

中国专利 :CN102179967B ,2011-09-14

[4]

一种镧锶锰氧薄膜的制备方法 [P].

陈莹 ;

王根水 ;

张帅 ;

董显林 .

中国专利 :CN101985749A ,2011-03-16

[5]

双钙钛矿结构锶（钡、钙）铁钼氧薄膜材料的制备方法 [P].

戴建明 ;

朱雪斌 ;

宋文海 ;

孙玉平 .

中国专利 :CN1796002A ,2006-07-05

[6]

一种负泊松比镧锶锰氧薄膜的制备方法 [P].

黄传威 ;

金菲 ;

陈善全 .

中国专利 :CN108103440B ,2018-06-01

[7]

具有导电功能的镧锶锰氧陶瓷薄膜及其制备方法、液流电池钛基镧锶锰氧陶瓷电极 [P].

刘政 ;

蒋百铃 ;

李远发 .

中国专利 :CN108264349B ,2018-07-10

[8]

一种调控镧锶锰氧薄膜泊松比的方法 [P].

黄传威 ;

金菲 ;

陈善全 .

中国专利 :CN107740050A ,2018-02-27

[9]

外延生长镍酸镧及镧锶锰氧薄膜的制备方法 [P].

王根水 ;

杨柱 ;

郭少波 ;

董显林 .

中国专利 :CN112877676A ,2021-06-01

[10]

一种钙钛矿薄膜的制备方法 [P].

经有国 ;

孟月霞 .

中国专利 :CN108559949A ,2018-09-21

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