一种镧钙锰氧-镧锶锰氧-钛酸锶铅复合薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610006430.3

申请日：

2016-01-06

公开(公告)号：

CN106947959A

公开(公告)日：

2017-07-14

发明(设计)人：

董显林薛粉陈莹王根水

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

C23C1812

IPC分类号：

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

曹芳玲;郑优丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101739971287 IPC(主分类):C23C 18/12 专利申请号:2016100064303 申请日:20160106
2017-07-14	公开	公开
2019-03-19	授权	授权

共 50 条

[1]

一种镧锶锰氧-钛酸锶铅复合薄膜及其制备方法 [P].

陈莹 ;

董显林 ;

王根水 ;

张帅 .

中国专利 :CN102179967B ,2011-09-14

[2]

一种镧锶锰氧薄膜制备方法 [P].

王学锋 ;

袁霄 ;

陈勇达 ;

刘汝新 ;

张荣 .

中国专利 :CN113106398B ,2021-07-13

[3]

具有导电功能的镧锶锰氧陶瓷薄膜及其制备方法、液流电池钛基镧锶锰氧陶瓷电极 [P].

刘政 ;

蒋百铃 ;

李远发 .

中国专利 :CN108264349B ,2018-07-10

[4]

一种镧锶锰氧薄膜的制备方法 [P].

陈莹 ;

王根水 ;

张帅 ;

董显林 .

中国专利 :CN101985749A ,2011-03-16

[5]

外延生长镍酸镧及镧锶锰氧薄膜的制备方法 [P].

王根水 ;

杨柱 ;

郭少波 ;

董显林 .

中国专利 :CN112877676A ,2021-06-01

[6]

一种钙钛矿结构镧锶锰氧半金属薄膜的制备方法 [P].

张群 ;

黄丽 ;

华中一 .

中国专利 :CN1757785A ,2006-04-12

[7]

一种低电阻的镧锶锰氧电极薄膜及其制备方法 [P].

程伟明 ;

张润青 ;

苏睿 ;

缪向水 .

中国专利 :CN117568755B ,2024-03-26

[8]

一种低电阻的镧锶锰氧电极薄膜及其制备方法 [P].

程伟明 ;

张润青 ;

苏睿 ;

缪向水 .

中国专利 :CN117568755A ,2024-02-20

[9]

一种负泊松比镧锶锰氧薄膜的制备方法 [P].

黄传威 ;

金菲 ;

陈善全 .

中国专利 :CN108103440B ,2018-06-01

[10]

一种调控镧锶锰氧薄膜泊松比的方法 [P].

黄传威 ;

金菲 ;

陈善全 .

中国专利 :CN107740050A ,2018-02-27

← 1 2 3 4 5 →