一种高质量n型碳化硅及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010236876.1

申请日：

2020-03-30

公开(公告)号：

CN111270305A

公开(公告)日：

2020-06-12

发明(设计)人：

方帅高宇晗高超

申请人：

申请人地址：

250100 山东省济南市槐荫区天岳南路99号

IPC主分类号：

C30B2300

IPC分类号：

C30B2936

代理机构：

北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716

代理人：

王宽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-12	公开	公开
2020-07-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 23/00 申请日:20200330
2020-12-18	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):C30B 23/00 变更事项:申请人变更前:山东天岳先进材料科技有限公司变更后:山东天岳先进科技股份有限公司变更事项:地址变更前:250100 山东省济南市槐荫区天岳南路99号变更后:250118 山东省济南市槐荫区天岳南路99号
2021-02-19	授权	授权

共 50 条

[1]

一种高质量碳化硅衬底及其制备方法 [P].

张九阳 ;

王瑞 ;

薛港生 ;

王含冠 ;

李硕 ;

李霞 ;

宁秀秀 ;

高超 ;

梁庆瑞 .

中国专利 :CN113284941A ,2021-08-20

[2]

高质量碳化硅籽晶、碳化硅晶体、碳化硅衬底及其制备方法 [P].

彭同华 ;

王波 ;

赵宁 ;

娄艳芳 ;

郭钰 ;

张贺 ;

刘春俊 ;

杨建 .

中国专利 :CN113186601B ,2021-07-30

[3]

一种高质量P型碳化硅晶体及碳化硅衬底 [P].

党一帆 ;

朱灿 ;

刘鹏飞 ;

陈超 ;

周惠琴 ;

张红岩 ;

王立凤 ;

王晓 .

中国专利 :CN119615370A ,2025-03-14

[4]

一种高质量单晶碳化硅及其制备方法 [P].

李霞 ;

高超 ;

梁晓亮 ;

宁秀秀 ;

孙元行 ;

宗艳民 .

中国专利 :CN109321981B ,2019-02-12

[5]

一种高质量碳化硅晶体的制备方法 [P].

刘欣宇 ;

袁振洲 .

中国专利 :CN111334860B ,2020-06-26

[6]

一种制备高质量单晶碳化硅的装置及其应用 [P].

李霞 ;

高超 ;

梁晓亮 ;

宁秀秀 ;

李长进 ;

宗艳民 .

中国专利 :CN109355705B ,2019-02-19

[7]

一种高质量碳化硅单晶、衬底及其高效制备方法 [P].

高宇晗 ;

方帅 ;

周敏 ;

姜兴刚 ;

窦文涛 ;

宗艳民 .

中国专利 :CN111118598A ,2020-05-08

[8]

一种用于生长高质量导电型碳化硅晶体的方法 [P].

陈小龙 ;

鲍慧强 ;

彭同华 ;

王刚 ;

刘春俊 ;

王波 ;

李龙远 .

中国专利 :CN101724906B ,2010-06-09

[9]

一种高质量碳化硅同质外延片及其制备方法 [P].

李赟 ;

赵志飞 ;

王翼 ;

熊瑞 ;

曹越 .

中国专利 :CN121161418A ,2025-12-19

[10]

高质量碳化硅表面的获得方法 [P].

陈小龙 ;

黄青松 ;

郭丽伟 ;

王锡铭 ;

郑红军 .

中国专利 :CN102534808B ,2012-07-04

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