多层电子组件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110685982.2

申请日：

2021-06-21

公开(公告)号：

CN114156086A

公开(公告)日：

2022-03-08

发明(设计)人：

韩准兑尹瑄浩金正烈俞明花吴泳俊朴璱雅

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01G430

IPC分类号：

H01G4005

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

包国菊;薛丞丞

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-08	公开	公开

共 50 条

[1]

多层电子组件及其制造方法 [P].

赵珉贞 ;

金昞建 ;

吴由弘 .

中国专利 :CN114551094A ,2022-05-27

[2]

多层电子组件及其制造方法 [P].

韩准兑 ;

尹瑄浩 ;

金正烈 ;

俞明花 ;

吴泳俊 ;

朴璱雅 .

韩国专利 :CN114156086B ,2025-07-04

[3]

多层电子组件及其制造方法 [P].

洪容珉 ;

洪奇杓 .

中国专利 :CN110634676A ,2019-12-31

[4]

多层电子组件及其制造方法 [P].

郑东俊 ;

金润 ;

金显 ;

姜心忠 ;

李银贞 .

中国专利 :CN114765095A ,2022-07-19

[5]

多层电子组件及其制造方法 [P].

郑在勋 ;

罗炫雄 ;

车润聢 .

中国专利 :CN114551102A ,2022-05-27

[6]

多层电子组件及其制造方法 [P].

林凤燮 .

中国专利 :CN104766690A ,2015-07-08

[7]

多层电子组件及其制造方法 [P].

田镐仁 ;

权成珉 .

韩国专利 :CN120032996A ,2025-05-23

[8]

多层电子组件及其制造方法 [P].

黄贞云 ;

李彩铜 ;

朴宣京 ;

吴智惠 ;

金载喜 ;

朴相铉 .

韩国专利 :CN119694788A ,2025-03-25

[9]

多层电子组件及其制造方法 [P].

崔亨综 ;

李有淨 ;

孙宽泳 ;

成佑庆 ;

朴圭植 ;

朴明俊 ;

元光渊 .

中国专利 :CN114649147A ,2022-06-21

[10]

多层电子组件及其制造方法 [P].

金东锡 .

韩国专利 :CN119480451A ,2025-02-18

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