大面积p－n结纳米硅线阵列及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03136182.X

申请日：

2003-05-19

公开(公告)号：

CN1454841A

公开(公告)日：

2003-11-12

发明(设计)人：

彭奎庆朱静

申请人：

申请人地址：

100084北京市100084－82信箱

IPC主分类号：

C01B33021

IPC分类号：

代理机构：

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法律状态：

专利权的终止

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 33/021 申请日:20030519 授权公告日:20071107 终止日期:20200519
2003-11-12	公开	公开
2007-11-07	授权	授权

共 50 条

[1]

大面积纳米线P-N结阵列及其制备方法 [P].

周伟民 ;

钮晓鸣 ;

宋志棠 ;

闵国全 ;

刘彦伯 ;

李小丽 ;

万永忠 ;

张静 ;

封松林 .

中国专利 :CN101587830A ,2009-11-25

[2]

一种大面积有序有机p-n结纳米线阵列的制备方法 [P].

赵永生 ;

崔秋红 ;

闫永丽 ;

姚建年 .

中国专利 :CN104253225A ,2014-12-31

[3]

一种易于大面积分离的硅纳米线阵列的制备方法 [P].

李美成 ;

谷田生 ;

黄睿 ;

赵兴 ;

白帆 ;

余航 ;

宋丹丹 ;

李英峰 .

中国专利 :CN103050378B ,2013-04-17

[4]

一种大面积小尺寸核壳结构硅纳米线阵列的制备方法 [P].

李正操 ;

苏诗茗 ;

林琳涵 ;

冯嘉猷 .

中国专利 :CN103489753A ,2014-01-01

[5]

一种大面积纳米阵列的制备方法 [P].

欧欣 ;

贾棋 ;

斯蒂芬·福斯柯 ;

王曦 .

中国专利 :CN104986728A ,2015-10-21

[6]

一种大面积纳米线阵列膜及其制备方法 [P].

方东 ;

索军 ;

焦可心 .

中国专利 :CN114538413A ,2022-05-27

[7]

一种大面积纳米线阵列膜及其制备方法 [P].

方东 ;

索军 ;

焦可心 .

中国专利 :CN114538413B ,2024-11-12

[8]

制备硅纳米线阵列的方法 [P].

陶斯禄 ;

蒋一岚 ;

周春 .

中国专利 :CN102560493B ,2012-07-11

[9]

连续大面积氧化锌纳米薄片及其制备方法 [P].

丁建宁 ;

丁古巧 ;

袁宁一 ;

刘跃斌 ;

杨蓉 .

中国专利 :CN101823759A ,2010-09-08

[10]

一种大面积高取向性的氧化锌纳米薄片阵列的制备方法 [P].

张跃 ;

秦子 ;

黄运华 ;

齐俊杰 ;

廖庆亮 ;

李会峰 ;

苏嘉 .

中国专利 :CN101844876B ,2010-09-29

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