发光二极管制造方法及发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210449845.X

申请日：

2012-11-12

公开(公告)号：

CN103811612A

公开(公告)日：

2014-05-21

发明(设计)人：

邱镜学林雅雯凃博闵黄世晟

申请人：

申请人地址：

518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号

IPC主分类号：

H01L3320

IPC分类号：

H01L3310

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583077673 IPC(主分类):H01L 33/20 专利申请号:201210449845X 申请日:20121112
2017-01-18	授权	授权
2014-05-21	公开	公开
2020-12-11	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/20 登记生效日:20201130 变更事项:专利权人变更前权利人:展晶科技（深圳）有限公司变更后权利人:苏州科技城生物医学技术发展有限公司变更事项:地址变更前权利人:518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号变更后权利人:江苏省苏州市苏州高新区科技城锦峰路8号变更事项:专利权人变更前权利人:荣创能源科技股份有限公司

共 50 条

[1]

发光二极管及发光二极管制造方法 [P].

林雅雯 ;

邱镜学 ;

凃博闵 ;

黄世晟 .

中国专利 :CN103811606A ,2014-05-21

[2]

发光二极管及发光二极管制造方法 [P].

林雅雯 ;

邱镜学 ;

凃博闵 ;

黄世晟 .

中国专利 :CN104377284B ,2015-02-25

[3]

发光二极管制造方法及发光二极管 [P].

杨天鹏 ;

焦建军 ;

康建 ;

陈向东 .

中国专利 :CN115528148B ,2025-06-20

[4]

发光二极管制造方法及发光二极管 [P].

杨天鹏 ;

焦建军 ;

康建 ;

陈向东 .

中国专利 :CN115528148A ,2022-12-27

[5]

发光二极管制造方法 [P].

邱镜学 ;

林雅雯 ;

凃博闵 ;

黄世晟 .

中国专利 :CN103840037B ,2014-06-04

[6]

发光二极管制造方法 [P].

邱镜学 ;

林雅雯 ;

凃博闵 ;

黄世晟 .

中国专利 :CN103811592A ,2014-05-21

[7]

发光二极管结构及发光二极管制造方法 [P].

赵显敏 ;

闵正泓 ;

金大贤 ;

金东旭 ;

郑载勳 .

中国专利 :CN113169249A ,2021-07-23

[8]

发光二极管制备方法及发光二极管 [P].

管成龙 ;

王振阳 ;

杨亮 .

中国专利 :CN119789620A ,2025-04-08

[9]

发光二极管制备方法及发光二极管 [P].

史可 ;

严帆 ;

王宁 ;

汤淼 ;

李俊生 .

中国专利 :CN118712291A ,2024-09-27

[10]

发光二极管 [P].

陈柏洲 ;

黄国瑞 ;

宋嘉斌 .

中国专利 :CN201126829Y ,2008-10-01

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