发光二极管及发光二极管制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201210453099.1
申请日
2012-11-13
公开(公告)号
CN103811606A
公开(公告)日
2014-05-21
发明(设计)人
林雅雯 邱镜学 凃博闵 黄世晟
申请人
申请人地址
518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号
IPC主分类号
H01L3304
IPC分类号
H01L3300
代理机构
代理人
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
发光二极管及发光二极管制造方法 [P]. 
林雅雯 ;
邱镜学 ;
凃博闵 ;
黄世晟 .
中国专利 :CN104377284B ,2015-02-25
[2]
发光二极管制造方法及发光二极管 [P]. 
邱镜学 ;
林雅雯 ;
凃博闵 ;
黄世晟 .
中国专利 :CN103811612A ,2014-05-21
[3]
发光二极管制造方法 [P]. 
邱镜学 ;
林雅雯 ;
凃博闵 ;
黄世晟 .
中国专利 :CN103840037B ,2014-06-04
[4]
发光二极管制造方法 [P]. 
邱镜学 ;
林雅雯 ;
凃博闵 ;
黄世晟 .
中国专利 :CN103811592A ,2014-05-21
[5]
发光二极管及发光二极管制备方法 [P]. 
兰叶 ;
王江波 ;
朱广敏 ;
吴志浩 ;
张威 .
中国专利 :CN119170722A ,2024-12-20
[6]
发光二极管及发光二极管制备方法 [P]. 
石时曼 ;
王洪占 ;
杭伟 ;
赵付花 .
中国专利 :CN118867083A ,2024-10-29
[7]
发光二极管及发光二极管制备方法 [P]. 
傅新钧 ;
赵诗嘉 ;
王欢 ;
郭泽文 ;
应丹青 ;
夏章艮 ;
刘传桂 ;
高艳龙 ;
赵驰 .
中国专利 :CN121218751A ,2025-12-26
[8]
发光二极管及发光二极管制备方法 [P]. 
崔伟豪 ;
任茹蓁 ;
沈燕 ;
王薇 ;
田艳红 ;
尹灵峰 .
中国专利 :CN119403327B ,2025-11-11
[9]
发光二极管及发光二极管制备方法 [P]. 
兰叶 ;
王江波 ;
朱广敏 ;
吴志浩 ;
张威 .
中国专利 :CN118335877A ,2024-07-12
[10]
发光二极管及发光二极管制备方法 [P]. 
王顺 ;
周宇 ;
葛俊飞 ;
楼高铭 ;
李帅 ;
卫婷 ;
尹灵峰 .
中国专利 :CN120302780A ,2025-07-11