一种场发射冷阴极及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611124177.8

申请日：

2016-12-08

公开(公告)号：

CN106653520B

公开(公告)日：

2017-05-10

发明(设计)人：

洪序达梁栋石伟

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号

IPC主分类号：

H01J1924

IPC分类号：

H01J3506 H01J902

代理机构：

深圳中一专利商标事务所 44237

代理人：

陈宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-10	公开	公开
2017-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101724581134 IPC(主分类):H01J 19/24 专利申请号:2016111241778 申请日:20161208
2019-05-07	授权	授权

共 50 条

[1]

场发射阴极及其制备方法 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN111081504B ,2020-04-28

[2]

场发射阴极及其制备方法 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN112053925A ,2020-12-08

[3]

一种场发射冷阴极结构及其制造方法 [P].

邓少芝 ;

张维明 ;

张宇 .

中国专利 :CN111293013A ,2020-06-16

[4]

石墨烯场发射阴极及其制备方法 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN113838725A ,2021-12-24

[5]

一种石墨烯带状电子注场发射冷阴极及其生产方法 [P].

柳建龙 ;

杨锦标 ;

曾葆青 ;

宋林川 ;

吴喆 ;

黎晓云 ;

傅文杰 .

中国专利 :CN106098503A ,2016-11-09

[6]

场发射冷阴极 [P].

D·A·小施弗勒 .

中国专利 :CN101527238B ,2009-09-09

[7]

一种双层场发射冷阴极电子源及其制造方法 [P].

张宇 ;

姜俊 ;

邓少芝 ;

许宁生 .

中国专利 :CN119170466A ,2024-12-20

[8]

场发射冷阴极 [P].

D·A·小施弗勒 .

中国专利 :CN1639821A ,2005-07-13

[9]

一种场致发射冷阴极 [P].

仲雪飞 ;

樊兆雯 ;

张雄 ;

屠彦 ;

杨兰兰 ;

王丽丽 .

中国专利 :CN104616945A ,2015-05-13

[10]

场发射阴极及其制造方法 [P].

郑直 ;

范守善 .

中国专利 :CN101101839A ,2008-01-09

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