场发射冷阴极

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02829338.X

申请日：

2002-07-18

公开(公告)号：

CN1639821A

公开(公告)日：

2005-07-13

发明(设计)人：

D·A·小施弗勒

申请人：

申请人地址：

美国新墨西哥

IPC主分类号：

H01J1304

IPC分类号：

H01J902 H01J2304

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

蔡胜有

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-09-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-09-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101514746164 IPC(主分类):H01J 1/304 专利号:ZL02829338X 申请日:20020718 授权公告日:20090701 终止日期:20120718
2009-07-01	授权	授权
2005-07-13	公开	公开

共 50 条

[1]

场发射冷阴极 [P].

D·A·小施弗勒 .

中国专利 :CN101527238B ,2009-09-09

[2]

柔性场发射冷阴极的制备方法及柔性场发射设备 [P].

赵江 ;

项扬军 ;

施庆玲 ;

周紫薇 ;

罗劲松 ;

嵇光晗 .

中国专利 :CN109065423A ,2018-12-21

[3]

基于场发射冷阴极的阵列X射线源 [P].

雷威 ;

张晓兵 ;

李驰 ;

娄朝刚 ;

崔一平 .

中国专利 :CN102299036A ,2011-12-28

[4]

基于场发射冷阴极的阵列X射线源 [P].

雷威 ;

张晓兵 ;

李驰 ;

娄朝刚 ;

崔一平 .

中国专利 :CN202142495U ,2012-02-08

[5]

一种场发射冷阴极及其制造方法 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

石伟 .

中国专利 :CN106653520B ,2017-05-10

[6]

一种场发射冷阴极结构及其制造方法 [P].

邓少芝 ;

张维明 ;

张宇 .

中国专利 :CN111293013A ,2020-06-16

[7]

可印制的纳米材料冷阴极浆料及其场发射冷阴极的制备方法和应用 [P].

许宁生 ;

任豪 ;

邓少芝 ;

陈军 ;

佘峻聪 .

中国专利 :CN1674192A ,2005-09-28

[8]

场发射显示用冷阴极的硅衬底结构及制备 [P].

宋航 ;

李志明 ;

赵海峰 ;

元光 ;

金亿鑫 .

中国专利 :CN1516214A ,2004-07-28

[9]

一种柔性透明场发射冷阴极的制备方法 [P].

郑辉 ;

周珂 ;

张阳 ;

郑梁 ;

郑鹏 .

中国专利 :CN112701023B ,2021-04-23

[10]

一种快速响应的场发射冷阴极电子源结构 [P].

邓少芝 ;

赖新宇 ;

许宁生 ;

陈军 ;

佘峻聪 .

中国专利 :CN101419887A ,2009-04-29

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