一种快速响应的场发射冷阴极电子源结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810198414.4

申请日：

2008-09-08

公开(公告)号：

CN101419887A

公开(公告)日：

2009-04-29

发明(设计)人：

邓少芝赖新宇许宁生陈军佘峻聪

申请人：

申请人地址：

510275广东省广州市新港西路135号

IPC主分类号：

H01J1304

IPC分类号：

H01J2904 H01J3506

代理机构：

广州新诺专利商标事务所有限公司

代理人：

华辉;曹爱红

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-01-05	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101058492496 IPC(主分类):H01J 1/304 专利申请号:2008101984144 公开日:20090429
2009-04-29	公开	公开
2009-06-24	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

一种双层场发射冷阴极电子源及其制造方法 [P].

张宇 ;

姜俊 ;

邓少芝 ;

许宁生 .

中国专利 :CN119170466A ,2024-12-20

[2]

冷阴极电子源的制造方法及冷阴极电子源 [P].

白神崇生 ;

北川和典 ;

兼重敏男 ;

西村则雄 .

中国专利 :CN101840822B ,2010-09-22

[3]

一种调控冷阴极电子源侧向发射的结构及方法 [P].

戴庆 ;

李振军 ;

白冰 ;

李驰 ;

刘新川 .

中国专利 :CN112701021B ,2024-08-02

[4]

一种调控冷阴极电子源侧向发射的结构及方法 [P].

戴庆 ;

李振军 ;

白冰 ;

李驰 ;

刘新川 .

中国专利 :CN112701021A ,2021-04-23

[5]

一种场发射冷阴极结构及其制造方法 [P].

邓少芝 ;

张维明 ;

张宇 .

中国专利 :CN111293013A ,2020-06-16

[6]

一种柔性透明场发射冷阴极的制备方法 [P].

郑辉 ;

周珂 ;

张阳 ;

郑梁 ;

郑鹏 .

中国专利 :CN112701023B ,2021-04-23

[7]

冷阴极电子发射表面层结构及其制造方法 [P].

许宁生 ;

陈建 ;

邓少芝 .

中国专利 :CN1121053C ,2001-01-10

[8]

一种可调束斑的场发射冷阴极电子源器件及其制备方法 [P].

程国安 ;

岳宏鑫 ;

唐煦尧 ;

郑瑞廷 .

中国专利 :CN110085503A ,2019-08-02

[9]

一种场发射阴极电子源及其应用 [P].

董长昆 ;

周彬彬 ;

张建 ;

黄运米 ;

何剑锋 .

中国专利 :CN108091529B ,2018-05-29

[10]

一种场发射冷阴极及其制造方法 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

石伟 .

中国专利 :CN106653520B ,2017-05-10

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