一种调控冷阴极电子源侧向发射的结构及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011583639.9

申请日：

2020-12-28

公开(公告)号：

CN112701021A

公开(公告)日：

2021-04-23

发明(设计)人：

戴庆李振军白冰李驰刘新川

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村北一条11号

IPC主分类号：

H01J1304

IPC分类号：

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

巩克栋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 1/304 申请日:20201228
2021-04-23	公开	公开

共 50 条

[1]

一种调控冷阴极电子源侧向发射的结构及方法 [P].

戴庆 ;

李振军 ;

白冰 ;

李驰 ;

刘新川 .

中国专利 :CN112701021B ,2024-08-02

[2]

冷阴极电子源的制造方法及冷阴极电子源 [P].

白神崇生 ;

北川和典 ;

兼重敏男 ;

西村则雄 .

中国专利 :CN101840822B ,2010-09-22

[3]

一种快速响应的场发射冷阴极电子源结构 [P].

邓少芝 ;

赖新宇 ;

许宁生 ;

陈军 ;

佘峻聪 .

中国专利 :CN101419887A ,2009-04-29

[4]

冷阴极电子发射表面层结构及其制造方法 [P].

许宁生 ;

陈建 ;

邓少芝 .

中国专利 :CN1121053C ,2001-01-10

[5]

内栅结构的纳米冷阴极电子源、制作方法及电子源阵列 [P].

陈军 ;

区卓然 ;

邓少芝 ;

许宁生 .

中国专利 :CN118039431A ,2024-05-14

[6]

冷阴极点电子源的发射面积测量方法和装置 [P].

唐帅 ;

苟明楷 ;

邓少芝 ;

许宁生 ;

沈岩 ;

张宇 ;

陈军 ;

佘峻聪 .

中国专利 :CN118584527A ,2024-09-03

[7]

一种碳纳米管冷阴极电子源及其对位焊接方法 [P].

戴庆 ;

李振军 ;

刘新川 ;

李驰 ;

白冰 .

中国专利 :CN114171359A ,2022-03-11

[8]

冷阴极电子源及使用其的电子管 [P].

冈田知幸 ;

松村达也 ;

山本彻 .

中国专利 :CN1942996A ,2007-04-04

[9]

一种可调束斑的场发射冷阴极电子源器件及其制备方法 [P].

程国安 ;

岳宏鑫 ;

唐煦尧 ;

郑瑞廷 .

中国专利 :CN110085503A ,2019-08-02

[10]

一种共面双栅聚焦结构的纳米冷阴极电子源及其制作方法 [P].

陈军 ;

黄佳 ;

邓少芝 ;

许宁生 ;

佘峻聪 .

中国专利 :CN111081505A ,2020-04-28

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